类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：250V
　　最大漏极电流(Id)：16A
　　导通电阻(Rds(on))：0.23Ω @ Vgs=10V
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　功率耗散(Pd)：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

KF16N25F-U/PSF 具备一系列优异的电气特性和物理特性，使其适用于多种高功率应用场景。首先，其最大漏源电压为250V，能够在较高电压环境下稳定运行。该器件的最大漏极电流为16A，适合处理中高功率负载。导通电阻Rds(on)仅为0.23Ω，在Vgs=10V条件下，这有助于降低导通损耗，提高能效。此外，该MOSFET的栅极电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制性能，同时具备较高的抗干扰能力。功率耗散为120W，使得该器件在高负载条件下仍能维持稳定的运行。其工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的热稳定性和环境适应性。封装形式为TO-220F，这种封装方式提供了良好的散热性能，并且便于安装在标准散热片上。
　　KF16N25F-U/PSF 还具备快速开关能力，减少开关损耗，提高整体系统效率。其设计符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品应用。该MOSFET在过载或短路情况下表现出良好的耐用性，适合用于保护电路设计中。

KF16N25F-U/PSF 适用于多种功率电子设备，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、照明控制系统、电池管理系统以及工业自动化控制设备。在开关电源中，该MOSFET可作为主开关器件，实现高效的能量转换。在电机驱动应用中，它能够承受较高的电流和频繁的开关操作，确保电机运行的稳定性。此外，KF16N25F-U/PSF 也常用于电池充电和放电管理系统，用于控制能量的流动，提高电池的使用寿命。由于其良好的热稳定性和可靠性，该器件也被广泛应用于家用电器和工业设备中的电源管理模块。

IRF16N25B、STP16NF25、FQA16N25C、TK16N25W、FD16N25F