时间：2025/12/28 14:38:43
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KF11N50P是一款由Kexin（科信）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有较低的导通电阻、良好的热稳定性和高效的开关性能，广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：11A（25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.48Ω（最大值）
功率耗散（Pd）：75W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220、TO-3PN等
KF11N50P的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热性能，能够在较高温度下稳定工作，适用于高功率密度设计。其增强型结构确保了在零栅极电压时器件处于关闭状态，提高了系统的安全性。KF11N50P还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在突发负载或电压瞬变情况下的可靠性。该MOSFET采用标准TO-220或TO-3PN封装，便于散热和安装，适用于多种工业和消费类应用。
KF11N50P广泛应用于各种电源系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制电路、电池充电器以及工业自动化设备中的负载开关。此外，该器件也可用于逆变器、UPS（不间断电源）和电焊设备等高电压高电流场合。
IRF840、IRF740、2SK2295、2SK2640
