晶体类型：NPN型BJT
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：40V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　电流增益（hFE）：60-600（根据不同等级）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　封装类型：TO-92

KEC9013H 是一款性能稳定的中功率晶体管，适用于多种电子电路设计。其主要特性包括：
　　1. **宽电流增益范围**：该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从60到600不等，使得其适用于不同增益需求的电路设计。
　　2. **高频响应能力**：过渡频率（fT）为100MHz，使其在高频放大电路中表现良好，适用于射频和高速开关应用。
　　3. **良好的稳定性与可靠性**：KEC9013H 设计用于在广泛温度范围内稳定工作，其最大工作温度可达+150°C，适合工业级应用环境。
　　4. **低饱和压降**：该晶体管在导通状态下具有较低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)），有助于降低功耗并提高开关效率。
　　5. **通用性强**：由于其良好的电气特性和广泛的应用记录，KEC9013H 可以作为许多中功率晶体管的替代品使用，适用于多种电路拓扑结构。

KEC9013H 的应用范围广泛，主要包括：
　　1. **音频放大电路**：该晶体管可用于音频前置放大器和功率放大器，提供高质量的音频信号放大。
　　2. **开关电路**：KEC9013H 适用于各种开关应用，例如继电器驱动、LED驱动和电机控制。
　　3. **数字电路接口**：在微控制器或数字电路与外部设备之间，KEC9013H 可作为信号放大或驱动元件。
　　4. **电源管理电路**：该晶体管可用于稳压器、电流调节器和电池充电器等电源管理应用。
　　5. **射频（RF）放大器**：由于其100MHz的过渡频率，KEC9013H 也可用于低频射频信号放大。
　　6. **教育与实验用途**：因其广泛使用和稳定性，KEC9013H 常用于电子工程教学实验和原型开发中。

BC547, 2N3904, KTC3198, 2SC1815