类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-523
　　标称齐纳电压：8.2V
　　齐纳电压容差：±2%
　　最大齐纳电流：150mA
　　功率耗散：200mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　测试电流：5mA
　　最大反向漏电流：1μA（在额定电压下）
　　动态阻抗：15Ω（典型值）
　　温度系数：+6mV/°C（典型值）

KDZVTR8.2B齐纳二极管具备优异的电压稳定性和温度补偿能力，是高性能模拟电路中的关键元件之一。其核心特性之一是低动态阻抗，典型值仅为15Ω，这意味着在负载电流发生波动时，输出电压的变化极小，从而保证了作为电压参考源的精确性。这一特性使其特别适合用于需要高精度电压基准的应用场景，例如数据转换器的参考输入或传感器信号调理电路。
　　该器件还表现出良好的温度稳定性。尽管齐纳电压随温度变化存在一定的正温度系数（约为+6mV/°C），但通过合理的外围电路设计（如与具有负温度系数的PN结串联），可以实现接近零温度系数的电压参考输出。这种可预测且相对线性的温度响应便于进行系统级温度补偿。
　　KDZVTR8.2B采用SOD-523小型封装，体积紧凑，适合高密度贴装需求，同时具备良好的散热性能，能够在200mW的功率范围内可靠工作。其最大齐纳电流可达150mA，允许在一定范围内调节工作点以优化噪声和稳定性表现。此外，器件在额定工作条件下具有极低的反向漏电流（最大1μA），即使在高温环境中也能有效抑制漏电导致的功耗增加和电压漂移问题。
　　制造工艺方面，ROHM采用成熟的硅扩散技术，确保每批次产品的参数一致性高，可靠性强。该器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101等车规级可靠性测试，因此不仅可用于消费类电子产品，也可应用于汽车电子、工业控制等对长期稳定性要求较高的领域。

KDZVTR8.2B广泛应用于多种电子系统中，主要功能包括提供稳定的电压参考、实现过压保护以及用于偏置电路设计。在电源管理系统中，它常被用作低压线性稳压器或开关电源的反馈回路中的参考电压源，以提高整体输出精度。在数据采集系统中，该齐纳二极管可为模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）提供高精度的基准电压，减少量化误差，提升测量分辨率。
　　在传感器接口电路中，KDZVTR8.2B可用于建立稳定的激励电压或作为比较器的阈值参考，确保信号处理的一致性和准确性。此外，由于其快速的响应特性和可靠的击穿行为，该器件也常用于瞬态电压抑制电路中，配合限流电阻使用，防止敏感元件受到电压浪涌冲击。
　　在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，KDZVTR8.2B凭借其小型化封装和低功耗特性，成为理想的电压箝位解决方案。它还可用于LED驱动电路中的电压调节环节，或作为运算放大器偏置网络的一部分，提升模拟前端的稳定性。
　　在工业自动化和汽车电子领域，该器件可用于总线电压监控、电池管理系统（BMS）中的电压检测节点，以及各类控制模块的电源监测单元。其符合车规级标准的特点使其能够适应严苛的工作环境，包括宽温范围和振动条件下的长期运行。

MMSZ5237BT1G
　　DFLZ8.2B-7
　　BZT52C8V2S