KDZVTR6.2B 时间：2025/12/25 12:15:02 阅读：18

KDZVTR6.2B是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的表面贴装小型齐纳二极管，专为高精度电压参考和稳压应用而设计。该器件采用SOD-523（SC-79）超小型封装，具有紧凑的尺寸和优良的电气性能，适用于对空间要求严格的便携式电子设备和高密度PCB布局。KDZVTR6.2B的标称齐纳电压为6.2V，属于温度系数接近零的电压范围，这使得它在宽温度范围内具有出色的电压稳定性。该系列齐纳二极管采用先进的制造工艺，确保了低动态电阻、低噪声和良好的长期稳定性，是替代传统通孔式齐纳二极管的理想选择。由于其优异的热稳定性和精确的电压容差（通常为±2%或±5%），KDZVTR6.2B广泛应用于电源管理电路、电压检测、基准电压源、信号电平转换以及各类消费类电子产品中的保护电路中。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-523（SC-79）
　　齐纳电压（Vz）：6.2V @ 测试电流（Iz）= 5mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：15Ω @ Iz = 5mA
　　额定功耗（Ptot）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　温度系数：±2mV/°C（典型值，在6.2V附近最小）
　　电压容差：±2% 或 ±5%（根据具体后缀）
　　反向漏电流（Ir）：< 1μA @ VR = 4V

特性

KDZVTR6.2B的核心优势在于其在6.2V电压点上实现了极低的温度系数，这是齐纳二极管技术中的一个关键特性。大多数齐纳二极管的电压温度系数随电压变化而变化，在低于约5V时表现为负温度系数（即温度升高，击穿电压降低），而在高于约7V时表现为正温度系数（温度升高，击穿电压升高）。然而，在大约5.6V至6.2V的电压范围内，齐纳效应和雪崩效应相互平衡，使得总温度系数接近于零。KDZVTR6.2B正是利用了这一物理特性，使其在环境温度变化剧烈的应用中仍能保持非常稳定的输出电压，极大减少了因温度漂移引起的系统误差。这对于需要高精度电压参考的模拟电路、ADC/DAC偏置电路或电源反馈环路至关重要。
　　此外，该器件采用SOD-523微型表面贴装封装，尺寸仅为1.6mm x 1.2mm x 0.8mm左右，非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他空间受限的便携式电子产品。尽管体积小巧，但其200mW的额定功率足以应对大多数低功耗稳压需求。低动态阻抗（Zzt ≤ 15Ω）意味着在负载电流波动时，输出电压的变化极小，进一步提升了稳压性能。同时，该器件具备出色的长期稳定性和低噪声特性，避免了在敏感模拟电路中引入干扰。ROHM的制造工艺还确保了产品的一致性和可靠性，通过AEC-Q101等车规级认证的部分型号也可用于汽车电子应用，展现出其在严苛环境下的耐用性。

应用

KDZVTR6.2B因其高精度和稳定性，被广泛应用于多种电子系统中。在电源管理领域，它常被用作低压线性稳压器（LDO）或开关电源的反馈网络中的基准电压源，以确保输出电压的准确性。在电池供电设备中，可用于电池电压监测电路，当电压超过或低于设定阈值时触发保护机制。在信号处理电路中，该齐纳二极管可用于钳位或限幅，防止过压损坏后续的敏感元件，例如微控制器的GPIO引脚或传感器接口。此外，它也常用于电平转换电路中，为不同电压域之间的信号提供稳定的参考点。在工业控制和测量仪器中，KDZVTR6.2B可作为精密电压基准，支持模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）的参考输入，提升系统测量精度。在汽车电子中，可用于车载传感器模块、ECU外围电路或LED驱动电路中的稳压与保护。由于其小尺寸和高可靠性，该器件同样适用于医疗设备、物联网终端节点和通信模块等对稳定性和空间有高要求的场景。