时间：2025/12/25 12:13:53
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KDZVTR3.6B是一款由罗姆（ROHM）公司生产的表面贴装齐纳二极管，专为低功率稳压和电压参考应用设计。该器件采用SOD-523小型封装，具有紧凑的尺寸和良好的热稳定性，适用于空间受限的便携式电子设备和高密度印刷电路板布局。KDZVTR3.6B的标称齐纳电压为3.6V，适合在需要精确电压箝位或基准电压的场合使用，例如电源管理、信号调理和保护电路中。其制造工艺确保了电压容差小、动态阻抗低以及温度系数优化，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。此外，该齐纳二极管经过可靠性测试，符合工业级质量标准，并具备良好的长期稳定性，适合消费类电子、通信设备、工业控制和汽车电子等多种应用场景。
该器件的工作原理基于PN结的反向击穿特性，在达到其额定齐纳电压后，能够维持相对恒定的电压，即使电流在一定范围内变化。这种特性使其可用于为敏感电路提供过压保护或作为反馈回路中的参考元件。KDZVTR3.6B支持连续和瞬态条件下的稳定工作，且由于其低功耗设计，特别适合电池供电系统以延长续航时间。整体而言，这款齐纳二极管结合了高性能与小型化优势，是现代电子设计中实现电压调节与保护功能的理想选择之一。
型号：KDZVTR3.6B
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：齐纳二极管
封装形式：SOD-523
标称齐纳电压：3.6 V
测试电流：5 mA
最大齐纳阻抗：35 Ω
最大耗散功率：200 mW
工作温度范围：-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
电压容差：±2%
极性：单向
安装类型：表面贴装（SMT）
KDZVTR3.6B齐纳二极管具备优异的电气特性和环境适应能力，适用于多种精密电压参考和稳压场景。首先，其标称齐纳电压为3.6V，在5mA的标准测试电流下表现出良好的电压稳定性，且电压容差控制在±2%以内，这使得它在对精度要求较高的模拟电路或数字逻辑电平转换中能够提供可靠的参考电压。其次，该器件的最大齐纳阻抗仅为35Ω，意味着在负载电流波动时输出电压的变化较小，有助于提升系统的稳定性和响应一致性。低动态阻抗还增强了其在噪声抑制和纹波衰减方面的表现，可有效改善电源质量。
该器件采用SOD-523封装，尺寸仅为1.6mm × 1.2mm × 0.8mm，非常适合用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等空间受限的应用中。尽管体积小巧，但其最大功耗可达200mW，足以应对大多数低功率稳压需求。同时，器件的工作结温范围高达+150°C，具备出色的热稳定性，可在高温环境下长期可靠运行。此外，KDZVTR3.6B具有较低的温度系数设计，减少了因环境温度变化引起的电压漂移问题，从而提升了整体系统的精度和重复性。
从可靠性角度来看，该齐纳二极管通过了严格的AEC-Q101车规认证，表明其不仅适用于工业和消费类电子产品，也可用于部分汽车电子系统。其材料结构符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造趋势。器件还具备良好的反向漏电流控制，在未达到击穿电压前漏电流极低（通常小于1μA），避免不必要的能量损耗，这对电池供电设备尤为重要。综合来看，KDZVTR3.6B凭借其高精度、小尺寸、良好热性能和高可靠性，成为众多电子设计中理想的电压基准与保护元件解决方案。
KDZVTR3.6B广泛应用于需要稳定电压参考或过压保护的小信号电路中。典型用途包括便携式电子设备中的电源轨稳压，如智能手机、平板电脑和智能手表中的辅助电压调节模块；在ADC或DAC参考电压源电路中，提供精确的3.6V基准电压以确保模数转换精度；也可用于微控制器复位电路或电平检测电路中，当输入电压超过阈值时触发相应动作。此外，该器件常被集成于接口保护电路中，配合限流电阻对I/O引脚进行静电放电（ESD）和浪涌电压防护，防止敏感芯片受损。
在通信系统中，KDZVTR3.6B可用于偏置电压设定或信号整形电路中，帮助维持信号完整性。其小型封装也使其适用于高密度PCB布局，如模块化传感器单元、无线收发模块和嵌入式控制系统。在工业自动化领域，它可以作为传感器信号调理电路的一部分，用于钳位放大器输入端的异常电压，防止前端电路饱和或损坏。另外，在电池管理系统（BMS）中，该齐纳二极管可用于监测单节锂电池电压，提供简单的过压指示功能。
由于其符合AEC-Q101标准，KDZVTR3.6B还可用于车载信息娱乐系统、车内照明控制或车身电子模块等非主控类汽车电子应用。在消费类家电中，如电视遥控器、蓝牙耳机充电仓等产品中，该器件用于稳压LED驱动电压或保护MCU供电引脚。总体而言，无论是在消费电子、工业控制还是轻度汽车应用中，KDZVTR3.6B都能以其高精度、小体积和高可靠性满足多样化的电压管理需求。
MMAZ3.6VT1G
ZMM3.6
BZT52C3.6S
