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KDZVTR2.7B 发布时间 时间:2025/11/8 3:29:55 查看 阅读:27

KDZVTR2.7B是一款由罗姆(ROHM)公司生产的精密箝位二极管阵列,主要用于信号线路的静电放电(ESD)保护和电压瞬变抑制。该器件属于表面贴装型TVS(瞬态电压抑制)二极管系列,专为高速数据接口和敏感模拟或数字电路设计,能够有效防止因静电、电感负载切换或其他外部干扰引起的过电压事件对后级电路造成损害。KDZVTR2.7B采用小型化SOD-323封装,具有低电容、快速响应时间和高可靠性等优点,适用于便携式电子设备和高密度PCB布局场景。
  KDZVTR2.7B的工作原理基于齐纳击穿效应,在正常工作电压下呈现高阻抗状态,不影响信号传输;当输入电压超过设定的击穿电压时,器件迅速进入低阻态,将多余能量泄放到地,从而将线路电压箝制在安全范围内。其双向结构设计使其能够应对正负方向的瞬态过压脉冲,特别适合用于差分信号线或交流耦合电路中的保护应用。此外,该器件符合AEC-Q101车规标准,具备良好的温度稳定性和长期工作寿命,广泛应用于通信设备、消费类电子产品以及工业控制领域。

参数

型号:KDZVTR2.7B
  制造商:ROHM
  封装类型:SOD-323
  极性:双向
  击穿电压 V(BR) min:2.97V
  击穿电压 V(BR) max:3.3V
  工作电压 VRWM:2.7V
  最大钳位电压 VC:6.0V
  最大反向漏电流 IR:100nA
  测试电流 IT:1mA
  电容典型值 CT:30pF
  峰值脉冲功率 PPK:300W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃

特性

KDZVTR2.7B的核心特性之一是其精确的击穿电压控制能力,确保在标称工作电压2.7V的系统中提供可靠的过压保护。该器件的最小击穿电压为2.97V,最大为3.3V,在1mA的测试电流条件下保证触发动作,避免在正常信号波动下误导通。这种精准的电压阈值设定使得它非常适合用于低压逻辑电路(如3.3V或2.5V供电系统)中的信号线防护,能够在不影响系统正常运行的前提下及时响应异常高压事件。
  另一个关键特性是其低动态电阻和快速响应时间,通常在皮秒级内即可完成从高阻态到低阻态的转换,有效抑制ESD脉冲带来的电压尖峰。根据IEC 61000-4-2国际标准,该器件可承受±8kV接触放电和±15kV空气放电的严苛测试条件,表现出卓越的抗静电能力。同时,由于其最大钳位电压仅为6.0V,在瞬态事件发生期间能将输出端电压限制在安全水平,保护下游CMOS器件免受损坏。
  该器件还具备极低的结电容(典型值30pF),这一特性对于高速信号传输路径至关重要。低电容意味着对信号完整性的影响极小,不会引起明显的信号衰减或失真,因此适用于USB、I2C、SPI、RS-232等高频通信接口的保护设计。此外,SOD-323封装尺寸小巧(约1.3mm x 1.8mm),便于在空间受限的应用中实现紧凑布局,并支持自动化贴片生产流程,提升制造效率与一致性。
  热稳定性方面,KDZVTR2.7B可在-55℃至+150℃的宽温度范围内稳定工作,满足汽车电子和其他恶劣环境下的使用需求。其材料构成符合RoHS环保要求,不含铅、镉等有害物质,且具备良好的焊接可靠性,经过多次回流焊工艺仍能保持性能不变。整体来看,该器件集成了高性能保护功能与小型化设计优势,是现代电子系统中不可或缺的前端防护元件。

应用

KDZVTR2.7B常被用于各类需要静电防护的电子接口电路中,典型应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等移动终端的USB数据线保护,防止用户插拔过程中引入的静电对主控芯片造成损伤。在工业自动化控制系统中,该器件可用于PLC模块的通信端口(如RS-485、CAN总线)防浪涌设计,提高系统的电磁兼容性(EMC)表现。此外,在汽车电子领域,因其通过AEC-Q101认证,可用于车载信息娱乐系统、传感器信号调理电路以及车身控制模块的I/O口保护,保障车辆在复杂电气环境中稳定运行。
  在消费类电子产品如数码相机、MP3播放器、无线耳机等设备中,KDZVTR2.7B可用于按键输入、触摸屏信号线或音频接口的ESD防护,延长产品使用寿命并提升用户体验。其低电容特性也使其适用于高速模拟信号链路,例如ADC/DAC前级输入保护,防止瞬态干扰导致转换错误。在网络通信设备中,如路由器、交换机的管理端口或调试接口,该器件同样可以作为第一道防线抵御雷击感应或电源耦合产生的瞬变电压。
  由于其双向导通能力,KDZVTR2.7B还可应用于交流耦合信号路径或差分对线路上,例如LVDS或以太网PHY侧的保护设计。在医疗电子设备中,考虑到患者安全和设备稳定性,该器件可用于低功耗传感器接口或人机交互面板的防护,确保在各种操作环境下都能可靠工作。总之,凡是有潜在静电或电压瞬变风险的低压电子系统,均适合采用KDZVTR2.7B进行前端保护设计。

替代型号

DF2B7M4SL,RCLAMP0524P,RSDS05-4

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KDZVTR2.7B参数

  • 现有数量89现货
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)3,000 : ¥0.97278卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)2.7 V
  • 容差±7.41%
  • 功率 - 最大值1 W
  • 阻抗(最大值)(Zzt)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 μA @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)-
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商器件封装PMDU