类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-923
　　齐纳电压（Vz）：10V（典型值）
　　电压容差：±2%
　　最大齐纳电流（Izmax）：50mA
　　最小齐纳电流（Izmin）：1mA
　　额定功率：200mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　温度系数：+6.5 mV/°C（典型值）
　　动态阻抗（Zzt）：25Ω（典型值，Iz=5mA）
　　反向漏电流（Ir）：< 1μA（Vr = 8V）

KDZTR10B齐纳二极管的核心优势在于其高电压精度与出色的温度稳定性。该器件在制造过程中采用了精密的电压筛选工艺，确保其齐纳电压的容差控制在±2%以内，这对于需要精确电压参考的应用至关重要。例如，在模拟电路中作为基准源或在反馈回路中进行电压检测时，这种高精度可以显著提升系统的整体性能。该器件的温度系数经过优化设计，在正常工作温度范围内表现出较小的电压漂移，从而保证了在不同环境温度下仍能维持稳定的输出电压。此外，其动态阻抗较低（典型值为25Ω），意味着即使负载电流发生快速变化，也能有效抑制电压波动，提供更加平稳的参考电压。
　　KDZTR10B采用SOD-923封装，尺寸仅为1.9mm x 1.3mm x 1.1mm，属于超小型表面贴装器件，非常适合用于对空间要求极为严格的便携式电子产品。这种封装不仅有助于提高PCB布局的灵活性，还能减少寄生电感和电容，提升高频响应性能。同时，该封装具有良好的散热能力，结合200mW的额定功率，使得器件在连续工作状态下仍能保持可靠运行。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车级应用环境。
　　在可靠性方面，KDZTR10B通过了AEC-Q101车规认证，具备优异的抗湿性、耐焊接热冲击能力和长期稳定性。其反向漏电流极低（在8V反向电压下小于1μA），有助于降低待机功耗，延长电池供电设备的续航时间。此外，该器件还具备良好的瞬态响应能力，可用于瞬时过压保护或噪声抑制电路中。总体而言，KDZTR10B是一款集高精度、小尺寸、高可靠性和良好热性能于一体的高性能齐纳二极管，广泛适用于现代电子系统中的电压基准与保护电路设计。

KDZTR10B常用于各类需要稳定电压参考的电子电路中，典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块、ADC/DAC参考电压源、电压监测电路、信号电平转换器以及ESD保护和过压箝位电路。由于其高精度和低温漂特性，它也适用于工业传感器信号调理、通信接口电平匹配以及汽车电子控制系统中的电压检测单元。此外，在电池供电设备中，该器件可用于构建低功耗电压基准，以支持实时时钟（RTC）或其他低功耗外设的稳定运行。其小型封装使其成为高密度PCB设计的理想选择，广泛应用于智能手机、智能手表、无线传感器节点、医疗监测设备和智能家居控制器等产品中。

MMSZ5240B-M3-7
　　DFPR10B