KDZTFTR18B是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电力转换场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频工作条件下保持高效和稳定。KDZTFTR18B适用于多种工业和消费类电子应用,提供出色的热性能和可靠性。
型号:KDZTFTR18B
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗(Ptot):140W
结温范围(Tj):-55°C至+175°C
封装形式:TO-247
KDZTFTR18B是一款专为高功率密度设计优化的MOSFET器件,其主要特性如下:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,减少磁性元件体积,进一步提升功率密度。
3. 高雪崩能量能力,增强了在短路或异常情况下的鲁棒性。
4. 内置反向恢复二极管,能够有效降低开关噪声并提高EMI性能。
5. 良好的热稳定性,在高温环境下也能保持较低的导通电阻漂移。
6. 符合RoHS标准,确保环保要求。
KDZTFTR18B广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和DC-DC转换器。
2. 电机驱动电路,例如无刷直流电机(BLDC)控制。
3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的逆变器模块。
4. 工业自动化设备中的功率控制单元。
5. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源系统。
6. 高频共振变换器及谐振电路。
7. 各种负载开关和保护电路。
IRFZ44N, FQP18N06, STP18NF06