时间：2025/6/5 10:46:07
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KDZTFTR18B是一种高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电力转换场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频工作条件下保持高效和稳定。KDZTFTR18B适用于多种工业和消费类电子应用，提供出色的热性能和可靠性。
型号：KDZTFTR18B
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：140W
结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
KDZTFTR18B是一款专为高功率密度设计优化的MOSFET器件，其主要特性如下：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，减少磁性元件体积，进一步提升功率密度。
3. 高雪崩能量能力，增强了在短路或异常情况下的鲁棒性。
4. 内置反向恢复二极管，能够有效降低开关噪声并提高EMI性能。
5. 良好的热稳定性，在高温环境下也能保持较低的导通电阻漂移。
6. 符合RoHS标准，确保环保要求。
KDZTFTR18B广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，包括AC-DC适配器和DC-DC转换器。
2. 电机驱动电路，例如无刷直流电机(BLDC)控制。
3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的逆变器模块。
4. 工业自动化设备中的功率控制单元。
5. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源系统。
6. 高频共振变换器及谐振电路。
7. 各种负载开关和保护电路。
IRFZ44N, FQP18N06, STP18NF06
