类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-523
　　齐纳电压：8.2V
　　额定功率：100mW
　　最大齐纳电流：50mA
　　齐纳电压容差：±1%（标准）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C

KDZ8.2V-RTK-P 是一款高性能齐纳二极管，具有优异的电压稳定性和温度稳定性。该器件采用SOD-523小尺寸封装，节省PCB空间，适合高密度电路设计。其额定功率为100mW，最大齐纳电流为50mA，适用于低功耗应用。齐纳电压容差为±1%，确保在高精度电路中提供稳定的参考电压。此外，该器件具有良好的动态阻抗特性，有助于降低电压波动并提高电路稳定性。内部结构优化，具备快速响应能力，适用于需要快速电压调节的场合。KDZ8.2V-RTK-P 还具有出色的长期可靠性，适用于工业和消费类电子产品。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适应多种环境条件下的稳定运行。其封装材料符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子制造对环保的要求。KDZ8.2V-RTK-P 也具备良好的反向恢复特性，适用于高频开关电源和信号处理电路。综上所述，该齐纳二极管是一款综合性能优异的电压参考元件，适用于多种电子系统。

KDZ8.2V-RTK-P 主要用于电压参考、稳压电路、电源管理、电池充电器、电压检测电路以及信号调节模块。此外，该器件也适用于便携式电子设备、传感器接口、工业控制系统和消费类电子产品中的电压稳定和调节需求。

KDZ8.2V-RTK-P 的替代型号包括：1N4735A（DO-41封装）、MMBZ5235BLT1G（SOT-23封装）、BZX84C8V2（SOT-23封装）等。在选用替代型号时，需注意封装形式、电压容差和额定功率是否符合具体应用需求。