类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-123（表面贴装）
　　齐纳电压：5.6V（标称值）
　　齐纳电压容差：±5%
　　最大耗散功率：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　最大反向电流（IR）：100nA（典型值）
　　最大齐纳阻抗（Zz）：10Ω
　　最大工作电流（IZT）：5mA

KDZ5.6EV-Y-RTK/P 采用高稳定性的硅半导体技术，提供精确的5.6V齐纳电压，具有良好的温度稳定性和长期可靠性。其SOD-123小型表面贴装封装适合高密度PCB布局，同时具备优良的热性能和机械强度，适合回流焊工艺。该器件的±5%电压容差确保了在电压参考和调节应用中的高精度表现。
　　此外，该齐纳二极管在正常工作条件下可提供稳定的电压钳位功能，适用于电源管理、信号调节、电压监测和过压保护等场景。其低漏电流特性也使其适用于低功耗电路设计，尤其在电池供电设备中表现出色。
　　该器件符合RoHS环保标准，适用于现代电子制造中的无铅工艺要求。其高可靠性使其广泛应用于工业自动化设备、测量仪器、通信模块以及消费类电子产品中的电压基准和保护电路。

该齐纳二极管广泛应用于需要5.6V稳定电压参考的电子电路中，包括电源电压监测、ADC参考电压源、电压调节电路、电池充电管理、信号调理电路以及过压保护系统。它在工业控制设备、智能传感器、通信模块、便携式仪表和嵌入式系统中均有广泛应用。
　　在具体设计中，KDZ5.6EV-Y-RTK/P 可用于稳压电路作为基准电压源，也可作为保护元件防止电压异常对敏感电路造成损害。在模拟电路中，它常用于提供稳定的偏置电压或参考电压，以确保电路的准确性和稳定性。此外，该器件也适用于需要精确电压钳位的场合，如接口电路的ESD保护和信号线路的电压限制。

KDZ5.6V-Y-TP/K、MM5Z5V6ST1G、BZX84C5V6、ZMM5V6、1N4735A