时间：2025/12/25 11:16:00
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KDZ5.1B是一款由罗姆（ROHM）公司生产的齐纳二极管（Zener Diode），属于KDZ系列的稳压二极管产品。该器件主要用于提供稳定的参考电压或在低功率电路中实现电压箝位和稳压功能。KDZ5.1B的标称齐纳电压为5.1V，适用于需要精确电压控制的小信号应用场合。该器件采用小型封装形式，通常为SOD-323或类似的表面贴装封装，适合高密度PCB布局和自动化贴片生产。由于其良好的温度稳定性和较低的动态电阻，KDZ5.1B广泛应用于便携式电子设备、电源管理模块、信号调理电路以及各种消费类电子产品中。作为一款通用型稳压二极管，它能够在反向击穿区工作并维持一个相对恒定的电压，从而保护后续电路免受电压波动的影响。此外，该器件具有较低的漏电流和较快的响应速度，适合用于对功耗敏感和响应时间要求较高的系统设计。
类型：齐纳二极管
标称齐纳电压：5.1V
齐纳电压容差：±5%
额定功率：200mW
最大正向电流：200mA
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOD-323
KDZ5.1B齐纳二极管具备优异的电压稳定性能，其核心特性之一是具有高度一致的齐纳击穿电压，标称值为5.1V，在标准测试条件下能够保持±5%以内的精度，确保了在多种应用场景下的可靠性与可预测性。该器件的动态阻抗较低，意味着在负载变化或输入电压波动时，输出电压仍能维持稳定，有效减少电压波动对后级电路的影响。此外，KDZ5.1B具有良好的温度系数，在宽温度范围内表现出较小的电压漂移，提升了系统在不同环境条件下的稳定性。
KDZ5.1B采用SOD-323小型表面贴装封装，体积小巧，便于集成于空间受限的印刷电路板中，尤其适用于移动设备、穿戴式电子产品和高密度电子模块。该封装还具备良好的散热性能，能够在200mW的额定功率下长期稳定运行。器件的反向漏电流极低，在未达到击穿电压前几乎不导通，有助于降低待机功耗，提升整体能效。同时，其快速响应能力使其能够迅速抑制瞬态过电压，起到一定的保护作用。
该齐纳二极管经过严格的可靠性测试，符合工业级和汽车级应用的部分标准，具备较强的抗老化能力和环境适应性。其制造工艺采用先进的半导体技术，保证了批次间的一致性和长期使用的稳定性。此外，KDZ5.1B支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线，有利于提高生产效率和产品良率。综合来看，这款器件以其高精度、小尺寸和高可靠性，成为众多低压稳压和参考电压应用中的理想选择。
KDZ5.1B常用于需要稳定参考电压的模拟和数字电路中，例如在ADC或DAC的基准电压源设计中提供精准的5.1V参考电平。它也广泛应用于电源监控电路、电压检测模块以及LDO线性稳压器的反馈网络中，用于设定输出电压值。在电池供电设备中，该器件可用于实现低功耗电压箝位，防止因电压异常升高而损坏敏感元件。此外，KDZ5.1B还可用于ESD保护电路、信号电平转换以及运算放大器的偏置电路中，起到限幅和稳压的作用。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机和智能家居控制器中，该器件因其小型化和高可靠性而被广泛采用。工业控制、传感器接口电路以及嵌入式系统中也常见其身影，用于构建简单的稳压单元或电压监测点。
MMBZ5226B,MZ5C5R1,UDZ5.1B
