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KDZ4.7V-RTK/P 4.7V 发布时间 时间:2025/9/11 18:29:29 查看 阅读:38

KDZ4.7V-RTK/P 是东芝(Toshiba)生产的一款表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),额定齐纳电压为4.7V。该器件主要用于电压参考、电压调节及过压保护等应用。该型号采用SOD-523封装,适用于各种便携式电子设备和精密电源管理系统。KDZ4.7V-RTK/P具有良好的温度稳定性和快速响应特性,适用于需要高精度稳压的场合。

参数

齐纳电压: 4.7V
  齐纳电流: 5mA
  最大耗散功率: 200mW
  工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  存储温度范围: -55°C ~ 150°C
  封装类型: SOD-523
  最大反向漏电流: 100nA(@ 1V)
  最大齐纳阻抗: 75Ω

特性

KDZ4.7V-RTK/P 是一款高性能齐纳二极管,具备出色的温度稳定性和重复性,适用于高精度电压参考设计。该器件的齐纳电压在标准测试条件(Iz=5mA)下为4.7V,误差范围较小,确保输出电压的稳定性。
  其采用SOD-523小型表面贴装封装,节省空间,适合高密度PCB设计。同时,该器件的功耗低,最大额定功率为200mW,适合电池供电设备使用。
  在电气特性方面,KDZ4.7V-RTK/P具有较低的动态阻抗,有助于减少负载变化对稳压性能的影响,同时其反向漏电流极低(最大100nA),可有效防止在低电压电路中的漏电问题。
  此外,该器件具备良好的热稳定性和响应速度,可在较宽温度范围内(-55°C至150°C)稳定工作,适应性强,适用于工业级和消费级电子产品。

应用

KDZ4.7V-RTK/P 主要应用于以下领域:精密电压参考源、电源管理电路、电压调节器、电池供电设备、模拟电路偏置、过压保护电路、嵌入式系统中的稳压模块、通信设备及消费类电子产品等。其SOD-523封装形式适合自动化贴片工艺,广泛用于便携式设备、传感器模块、智能穿戴设备等对空间和功耗有严格要求的应用场景。

替代型号

MM3Z4R7ST1G, BZT52C4V7, MMSZ4684T1G

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