齐纳电压：24V
　　最大齐纳电流：100mA
　　容差：±2%
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-523（SMD）
　　引脚数：2
　　动态电阻：典型值为 9Ω（在 IZ = 5mA 时）
　　温度系数：±15 ppm/°C

KDZ24V-RTK/P 的核心特性之一是其高精度的电压参考性能。该器件采用先进的制造工艺，确保在各种工作条件下提供稳定的击穿电压。其 ±2% 的容差保证了电压精度，适用于对电压稳定性要求较高的电路设计。此外，该齐纳二极管的低动态电阻（典型值为 9Ω）意味着在负载变化时仍能保持稳定的输出电压，提高了系统的整体稳定性。
　　该器件的另一个显著特性是其优异的温度稳定性。温度系数为 ±15 ppm/°C，表明在环境温度变化时，其击穿电压的变化非常小。这种特性使得 KDZ24V-RTK/P 特别适合用于温度变化较大的工业环境中，如自动化控制系统和精密测量仪器。
　　KDZ24V-RTK/P 采用 SOD-523 小型封装，适合高密度 PCB 布局，并且易于实现自动化装配。该封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，确保器件在较高环境温度下也能正常工作。此外，其最大功耗为 300mW，能够在多种应用中提供足够的功率裕量。

KDZ24V-RTK/P 主要用于需要高精度电压参考的电路中。常见的应用包括电源管理模块中的电压调节、电压检测电路、电池管理系统（BMS）、工业控制系统中的基准电压源，以及各种模拟和数字电路中的稳压保护。由于其良好的温度稳定性和低动态电阻，该器件也广泛应用于精密仪器、测试设备和传感器接口电路中。此外，该齐纳二极管还可用于通信设备中的参考电压生成，确保系统信号的稳定性和准确性。

LMVZ24V-RTK/P, BZT52-B24, MMSZ24V