时间：2025/12/28 15:10:42
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KDZ13EV是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于需要高效率和快速开关特性的应用中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、马达控制以及电池供电设备等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：13A
功耗（Pd）：100W
导通电阻（Rds(on)）：0.035Ω（最大值）
封装类型：TO-252（DPAK）
KDZ13EV MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体效率。该器件支持高漏极电流，能够承受较大的负载，适用于高功率应用。其高栅极电压容限（±20V）确保了在复杂驱动条件下的稳定性。此外，采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热管理和可靠性，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和散热设计。
KDZ13EV的开关特性优异，具有快速的上升和下降时间，减少开关损耗并提高系统效率。其设计也考虑了热阻优化，确保在高电流条件下仍能保持稳定运行。此外，该MOSFET具备较高的抗静电能力，增强了在实际应用中的耐用性。
KDZ13EV通常应用于各种功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器以及电池管理系统。在汽车电子、工业控制、消费类电子产品和电信设备中，该MOSFET常用于高效能功率转换和管理方案。由于其优异的导通和开关性能，也适合用于需要高频操作的场合。
TK13A50D,TN0702,TN1310
