时间：2025/12/28 16:10:58
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KDV273E 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET晶体管，广泛用于各种电子设备中进行功率控制和开关操作。该器件采用先进的工艺制造，具有优异的导通和开关性能，适用于电源管理、电机控制和DC-DC转换等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：30A
最大漏源电压：60V
导通电阻：5.5mΩ（典型值）
栅极电荷：56nC（典型值）
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
KDV273E MOSFET具有低导通电阻特性，可以显著减少导通损耗并提高能效。其高电流承载能力和优异的热稳定性使其适用于高功率密度设计。
此外，该器件的栅极电荷较低，从而降低了开关损耗，使其非常适合用于高频开关电路。TO-220封装形式提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下也能保持稳定运行。
KDV273E还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在苛刻的工作环境中提供可靠的运行保障。其设计优化了短路耐受能力，提高了系统的整体稳定性与安全性。
同时，该MOSFET具有快速的开关响应时间，能够在电源转换和电机控制应用中实现更高的动态响应性能。
KDV273E主要用于电源管理、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动、工业自动化设备以及各种高功率电子系统中。其优异的性能也使其适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品的设计。
TKA75N60,TMOSFET-TKA75N60
