电容值：0.1μF
　　容差：±10%
　　额定电压：100V
　　介质材料：X7R
　　封装尺寸：1206（3.2mm x 1.6mm）
　　温度系数：±15%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000 MΩ
　　损耗角正切（tanδ）：≤ 2.5%

KDV269V-RTK/P陶瓷电容器具备优异的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值的稳定。X7R介质材料的使用使其在不同的电压和温度条件下表现出较低的容量变化，适用于对稳定性要求较高的模拟和数字电路。
　　此外，该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提高电路的高频响应和稳定性。其高绝缘电阻和低漏电流特性也使其适用于高精度和低功耗的电路设计。
　　在机械性能方面，KDV269V-RTK/P采用高强度陶瓷材料和稳定的端子结构，能够承受一定的机械应力，适用于各种PCB布局和焊接工艺。

KDV269V-RTK/P广泛应用于各类电子设备中，如电源管理电路、信号处理系统、消费类电子产品、汽车电子、工业控制设备以及通信模块等。在电源电路中，它可用于去耦和滤波，以降低噪声和提高电源稳定性；在射频和模拟电路中，该电容器可作为旁路电容或调谐元件，提升信号完整性。
　　由于其良好的温度稳定性和可靠性，KDV269V-RTK/P也常用于汽车电子系统中，如发动机控制单元（ECU）、车载娱乐系统和传感器模块等对环境条件要求较高的场合。

Kemet KDV269V-RTK/P的替代型号包括TDK的C3216X7R1H104K160AC、Murata的GRM32ER71H104KA01L、AVX的X7R1H104K1001NT和Kemet的KDV269VK2104KP05。