KDV269E-RTK 时间：2025/12/28 15:08:47 阅读：10

KDV269E-RTK 是一款由 KEC Corporation（韩国电子部件制造商）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，适用于各种电源管理系统、DC-DC 转换器以及负载开关等场合。KDV269E-RTK 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，能够在较小的封装下实现优异的热性能。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大漏极电流（Id）：4.3A
　　导通电阻（Rds(on)）：26mΩ @ Vgs=10V；38mΩ @ Vgs=4.5V
　　功耗（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　晶体管配置：单路

特性

KDV269E-RTK 的主要特性之一是其极低的导通电阻，在 10V 栅极驱动电压下可低至 26mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，适用于高频开关应用，减少开关损耗。
　　其采用的 SOT-23 小型封装不仅节省空间，而且具有良好的热管理性能，使其在高电流应用中仍能保持稳定运行。KDV269E-RTK 还具有良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，适合用于工业控制、便携式设备电源管理、电池供电系统等对性能和稳定性要求较高的场合。
　　此外，KDV269E-RTK 的栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），兼容多种驱动电路，包括 5V 和 12V 驱动系统，便于在不同设计中灵活使用。其高耐压特性和出色的电流处理能力使其在负载切换、电机驱动和电源分配系统中表现出色。

应用

KDV269E-RTK 主要应用于电源管理系统、同步整流器、DC-DC 转换器、LED 驱动器、电池管理系统、负载开关、小型电机控制以及便携式电子设备中的功率开关等场景。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，KDV269E-RTK 可作为电源路径管理开关，实现高效能的电源切换和节能控制。
　　在工业自动化设备中，该 MOSFET 可用于 PLC（可编程逻辑控制器）、传感器供电控制、继电器替代方案等，提供可靠的高频率开关性能。
　　此外，它也适用于无人机、智能穿戴设备、物联网（IoT）设备等新兴领域，满足对小尺寸、高效率和高稳定性的需求。