电容值：0.1μF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：X7R
　　封装类型：1206（3216公制）
　　端接类型：标准
　　工作温度系数：±15%
　　绝缘电阻：10,000MΩ
　　额定电流：无直流电流

KDV269E-RTK/PED具有出色的温度稳定性和低损耗特性，能够在广泛的温度范围内保持稳定的电容值。该电容器的X7R介质材料确保其在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容变化不超过±15%。此外，它还具有高绝缘电阻和低漏电流，适用于高精度和高稳定性的电路设计。由于其多层结构设计，KDV269E-RTK/PED在高频应用中表现出色，能够有效减少高频噪声并提供良好的滤波效果。此外，该电容器具有良好的机械强度和耐焊接热性能，适用于自动化贴片工艺。
　　在可靠性方面，KDV269E-RTK/PED经过严格的测试和验证，符合行业标准的质量要求。它广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子和汽车电子等领域。此外，该电容器还具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），能够在高频率下保持良好的性能，适用于去耦和旁路应用。
　　KDV269E-RTK/PED的1206封装尺寸提供了良好的焊接稳定性和空间利用率，适合在高密度电路板设计中使用。该电容器还具有良好的耐湿性和抗老化性能，能够在恶劣的环境条件下长期稳定运行。

KDV269E-RTK/PED广泛应用于各种电子设备和系统中，如电源管理电路、信号处理电路、射频（RF）电路、滤波器、去耦电路和储能电路。它特别适用于对电容稳定性要求较高的场合，如精密放大器、传感器接口电路和高频通信设备。此外，该电容器也可用于汽车电子系统、医疗设备和工业自动化控制系统中，提供稳定的电容支持。

C0805C104K5RACTU, VJ1206Y104KXSC, GRM319R71H104KA01L