类型：快恢复二极管（Fast Recovery Diode）
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：25A
　　峰值反向电压（PRV）：1000V
　　正向压降（VF）：约1.45V（在25A条件下）
　　反向恢复时间（trr）：500ns（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220
　　极性：单向

KDV251M-C/P 的特性之一是其优异的快恢复性能，反向恢复时间（trr）仅为500ns，这使得它在高频开关应用中表现良好，能够有效减少开关损耗并提高系统效率。此外，该器件的正向压降较低，在25A的额定电流下约为1.45V，有助于降低导通损耗，提高能量转换效率。
　　该二极管采用了高纯度硅材料和先进的制造工艺，确保了其在高温环境下的稳定运行。其工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适用于各种严苛的工业环境。TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还具备较高的机械强度和电气绝缘性能，便于安装在散热片上，适用于高功率应用。
　　另一个显著特点是其较高的峰值反向电压（PRV）能力，达到1000V，使其能够承受较高的反向电压应力，适用于高压整流和电源转换电路。最大正向平均电流为25A，足以满足大多数中高功率应用的需求。

KDV251M-C/P 广泛应用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动器、变频器、电焊机、光伏逆变器等电力电子设备中。其快恢复特性使其特别适用于高频整流和续流二极管的应用场景，有助于提高系统的整体效率和可靠性。此外，由于其高耐压和大电流能力，也常用于电源输入端的整流桥中，作为主要的功率整流元件。

KBU2510、KBU2506、GBU2510、GBU2506