KDV215E 时间：2025/9/12 12:26:59 阅读：24

KDV215E 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模块，主要用于高频开关应用，如电源转换、马达控制、逆变器以及工业自动化设备中。该器件设计用于高效率和低导通损耗，适用于需要高可靠性和高性能的电力电子系统。KDV215E 采用双列直插式封装（DIP），具备良好的散热性能和电气隔离能力。

参数

类型：MOSFET模块
　　额定漏极电流（ID）：15A
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 0.35Ω
　　封装类型：DIP
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　功率耗散：100W

特性

KDV215E 的核心优势在于其低导通电阻和高耐压能力，使其在高频开关条件下仍能保持较低的导通损耗和开关损耗。该模块的DIP封装设计不仅便于安装，而且具备良好的散热性能，有助于提高系统的长期稳定性。此外，KDV215E 的高栅极阈值电压特性使其在复杂电磁环境中具有更强的抗干扰能力，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等对可靠性要求较高的场景。
　　该器件采用了东芝先进的功率MOSFET制造工艺，确保了其在高温下的稳定工作能力，并具备良好的短路耐受能力。在实际应用中，KDV215E 可有效降低系统的整体功耗，提高能量转换效率。此外，该模块的输入电容较小，有助于减少栅极驱动电路的负担，从而提高开关速度和系统响应能力。

应用

KDV215E 常用于各类电力电子设备中，包括但不限于：
　　? 开关电源（SMPS）
　　? 电机驱动器和变频器
　　? 工业自动化控制系统
　　? 不间断电源（UPS）
　　? 电焊机和感应加热设备
　　? 电动汽车充电模块
　　由于其高可靠性和优异的热性能，KDV215E 也广泛应用于需要长时间连续运行的工业和电力设备中。