KDV175E 时间：2025/9/12 13:45:51 阅读：17

KDV175E是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子设备中。KDV175E采用先进的封装技术，确保了良好的散热性能和电气性能，使其在高温和高负载条件下依然保持稳定的工作状态。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：175A（@25°C）
　　功耗（Pd）：300W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤4.5mΩ（@Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-264

特性

KDV175E具有出色的电气性能和热稳定性，适用于高功率应用。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件具备高耐压能力，可承受较高的电压应力，适用于各种高压电源转换场合。此外，KDV175E的封装设计优化了散热性能，使其在高电流负载下仍能保持较低的温度上升，从而提高整体系统的可靠性。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的安全保障。此外，KDV175E的快速开关特性使其适用于高频开关电源设计，减少开关损耗并提高响应速度。
　　KDV175E的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，兼容多种驱动电路设计。该器件的高可靠性和稳定性使其成为工业电源、电动汽车、逆变器、UPS（不间断电源）等应用的理想选择。在使用过程中，需注意散热设计，如搭配适当的散热片或风冷系统，以确保其在高负载下稳定运行。同时，设计者应考虑栅极驱动电路的匹配，以充分发挥其高效能优势。