类型：双P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　漏极电流（ID）：-4.4A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：80mΩ（最大值，@VGS=-4.5V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP-8

KDV173RTK 具备多项优异的电气和物理特性，适用于高性能电源管理应用。其低导通电阻特性有助于降低导通损耗，提高系统效率，从而减少发热并延长电池寿命。由于其工作电压较低，该器件适用于现代低电压电源系统，如便携式电子产品和DC-DC转换器。
　　该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供更高的开关速度和更低的开关损耗，从而进一步提升系统性能。此外，KDV173RTK 在封装设计上优化了热管理能力，使其能够在高负载条件下稳定运行。
　　双P沟道结构允许在一个封装中实现两个独立的功率开关功能，从而减少外部元件数量，简化电路设计，并提高系统的集成度和可靠性。这使得KDV173RTK 成为多路电源控制、负载开关和电池保护电路的理想选择。
　　该器件还具有良好的抗静电能力（ESD保护），能够在制造和操作过程中提供更高的安全性，降低损坏风险。

KDV173RTK 适用于多种低电压、高效率的电源管理场景，包括但不限于以下应用：
　　1. **移动设备电源管理**：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池供电系统，用于控制不同功能模块的电源开关，以优化能耗。
　　2. **DC-DC转换器**：在需要高效升压或降压转换的电源系统中，作为高频开关元件，提高转换效率并减少发热。
　　3. **负载开关应用**：在多路电源系统中，用于隔离不同的负载电路，实现快速开关控制，防止短路和过载情况下的系统损坏。
　　4. **电机驱动电路**：适用于小型电机的H桥驱动电路，实现正反转控制和制动功能。
　　5. **工业控制系统**：用于PLC、传感器模块和自动化设备中的低功耗开关控制，提升系统响应速度和稳定性。

Si3442DV-T1-E3, DMG9435UX-7, TPC8104-H