时间：2025/12/28 15:22:10
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KDV1472-B是一款由Kec Corporation（现为KEC）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用TO-220封装，适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关及电机控制等应用。KDV1472-B具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，能够在较高功率下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：约0.018Ω（典型值）
功率耗散(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
KDV1472-B具备多项优异特性，适用于高要求的功率控制应用。其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件具有较高的电流承载能力（50A连续漏极电流），适合大功率应用。漏源电压额定值为60V，满足多种中低电压功率转换需求。此外，其TO-220封装有助于良好的散热性能，确保在较高功率条件下稳定运行。
KDV1472-B还具备良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，能够承受瞬时过压和过流情况。栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计。该M1472-BOSFET在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于工业电源、电池管理系统、负载开关及电机驱动电路等应用领域。其设计也支持并联使用，以进一步提高系统功率处理能力。
KDV1472-B适用于多种功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器和电池管理系统。该器件也可用于逆变器、电源管理模块及工业自动化设备中的高效率功率控制电路。其优异的导通特性和高可靠性使其成为高性能电源设计的优选器件。
IRFZ44N, STP55NF06, FDP6676, Si4440DY
