KDV1471-C 时间：2025/9/11 15:15:13 阅读：7

KDV1471-C 是一款由 KEC Corporation（现为KEC半导体）制造的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动器等需要高效率和高可靠性的场合。该器件采用高密度单元设计，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：70A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.018Ω（典型值）
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

KDV1471-C MOSFET 具有优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件采用了先进的平面技术，确保在高电流和高电压条件下依然具备良好的稳定性。其封装形式为 TO-220，便于安装和散热管理，适用于各种电源转换和功率控制应用。此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力和热稳定性，可在恶劣的工作环境下保持可靠性。
　　KDV1471-C 的栅极驱动特性也较为理想，能够在较低的栅极电压下实现快速导通与关断，从而减少开关损耗。该器件的高耐压特性（60V VDS）使其适用于多种中压功率转换电路，例如DC-DC转换器、逆变器以及电机控制模块。此外，其良好的热阻特性（RθJA）确保了在高温环境下依然具备出色的性能表现。
　　在制造工艺方面，KDV1471-C 采用了高密度沟槽结构设计，使得在相同尺寸下实现更高的电流处理能力，同时保持较低的功耗。该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，广泛用于工业自动化、消费电子、通信设备等领域。