时间：2025/9/11 18:57:26
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KDV1470-B-RTK/P 是一款由 KEC Corporation 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率和高频应用设计，具有优异的导通特性和开关性能。KDV1470-B-RTK/P 采用 TO-220FP 封装形式，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、功率放大器以及各种工业和消费类电子设备。其设计目标是提供高效率、低损耗和高可靠性，适合在高电流和高电压条件下运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：140A（在25°C）
功耗(Pd)：200W
导通电阻(Rds(on))：最大5.7mΩ（在Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220FP
KDV1470-B-RTK/P 具有低导通电阻的特点，这使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体效率。其高栅极绝缘能力确保了在高电压条件下的稳定运行，同时具备良好的抗静电能力，提升了器件的可靠性。此外，该MOSFET的封装设计有助于快速散热，保证在高功率工作状态下的稳定性。该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流和电机驱动等。此外，KDV1470-B-RTK/P 的 TO-220FP 封装形式有助于提高 PCB 布局的灵活性，并增强热管理性能，确保长时间高负载运行的稳定性。
KDV1470-B-RTK/P 主要应用于电源管理系统、高效DC-DC转换器、马达控制电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、功率放大器、LED驱动器以及各种需要高功率密度和高效率的电子设备中。其优异的电气特性和封装设计也使其适用于汽车电子系统，如电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）的电力管理系统。
IRF1405, STP150N6F6, SiS436DY
