类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：100A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 2.8mΩ @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：TO-263（D2PAK）

KDS2236S-RTK 具备多项优异特性，使其在功率电子领域中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下，导通损耗最小化，提高了系统效率。此外，该器件的高电流承载能力（100A 连续漏极电流）使其非常适合用于高功率密度设计。
　　其次，KDS2236S-RTK 采用了先进的沟道 MOSFET 技术，提供了卓越的开关性能和热稳定性，从而在高频率开关应用中表现出色。其 TO-263 封装形式不仅便于安装和散热，还能在高功率操作时保持良好的热管理。
　　再者，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽（±20V），提高了驱动电路的兼容性，适用于多种驱动 IC 和控制器。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。
　　最后，KDS2236S-RTK 在设计上兼顾了性能与成本效益，是许多工业电源、DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统等应用的理想选择。

KDS2236S-RTK 适用于多种高功率、高效率的电子系统设计。
　　在电源管理领域，它常用于同步整流器、DC-DC 降压和升压转换器，提供高效的电压转换。其低导通电阻和高电流能力使其在服务器电源、通信设备电源模块中表现优异。
　　在电机控制方面，该器件可用于 H 桥电路和电机驱动模块，支持高功率无刷直流电机（BLDC）和步进电机的应用，适用于工业自动化设备、机器人和电动工具。
　　此外，KDS2236S-RTK 也广泛用于电池管理系统（BMS），例如在电动车辆（EV/HEV）、储能系统和不间断电源（UPS）中，作为主开关或负载切换元件，确保系统安全和高效运行。
　　消费类电子应用中，该 MOSFET 可用于高性能笔记本电脑、平板电脑和大功率 LED 驱动电路，满足高能效和小尺寸设计需求。

SiR178DP-T1-GE3, IRF1710PBF, FDD100N60A