时间：2025/9/12 10:53:28
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KDS221V-RTK 是一款由 KEC（Korea Electronics Corporation）生产的 NPN 型双极结型晶体管（BJT），主要用于高频放大和开关应用。该晶体管采用 TO-92 共射封装，具有良好的稳定性和可靠性，适用于多种电子电路设计。
晶体管类型：NPN
集电极-发射极电压（VCEO）：30V
集电极-基极电压（VCBO）：50V
发射极-基极电压（VEBO）：5V
最大集电极电流（IC）：150mA
最大功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
过渡频率（fT）：250MHz
电流增益带宽乘积（GBW）：250MHz
电流放大系数（hFE）：110 ~ 800（根据档位不同）
KDS221V-RTK 是一款高频 NPN 晶体管，具有优异的高频响应性能，适用于 RF 和 IF 放大器设计。其高过渡频率（fT）可达 250MHz，使得该器件在高频应用中表现出色。
该晶体管具有良好的电流放大能力，hFE 值可根据具体应用需求分为不同等级，范围在 110 到 800 之间，提供更灵活的设计选择。
封装采用 TO-92 标准封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合在各种 PCB 布局中使用。此外，其最大集电极-发射极电压为 30V，集电极电流可达 150mA，适合中低功率的放大和开关电路应用。
由于其高可靠性和广泛的工作温度范围（-55°C ~ +150°C），KDS221V-RTK 可以适应各种环境条件，包括工业级和消费级电子产品。
该晶体管还具有较低的噪声系数，适合用于前置放大器、信号处理电路以及无线通信模块等对信号质量要求较高的场合。
KDS221V-RTK 主要应用于高频放大电路、射频（RF）接收前端、无线通信模块、音频放大器、开关电路以及通用电子电路设计中。其优异的高频特性使其成为 RF 放大器、IF 放大器、振荡器和混频器中的理想选择。此外，由于其良好的稳定性和可靠性，该晶体管也广泛用于消费类电子产品、工业控制设备和汽车电子系统中。
2N3904, BC547, 2SC1815, KSP2222A
