晶体管类型：NPN 双晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功率耗散（PD）：200mW
　　频率响应（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据工作点不同）
　　封装类型：14 引脚 TSSOP
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

KDS184-RTK/P 的主要特性之一是其集成的双 NPN 晶体管结构，使得在单个 IC 上可以实现多个放大或开关功能，从而减少电路板上的元件数量，提高系统的可靠性和集成度。此外，该器件的高频率响应使其适用于高速开关和射频（RF）应用。
　　这款晶体管具有较高的电流增益（hFE），可以在不同的集电极电流下保持稳定的放大性能。其 hFE 值根据工作电流的不同可在 110 至 800 范围内变化，提供了良好的灵活性和适应性。这种特性使得 KDS184-RTK/P 非常适合用于需要不同增益级别的电路设计。
　　KDS184-RTK/P 采用 14 引脚 TSSOP 封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。其低功耗设计和良好的热稳定性也使其适用于便携式设备和电池供电系统。此外，该器件的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +150°C，使其适用于各种工业和恶劣环境条件下的应用。

KDS184-RTK/P 广泛应用于多个电子系统中，尤其是在需要双晶体管结构以实现高效信号处理或电平转换的场景。其典型应用包括逻辑电平转换器、高速开关电路、音频放大器前级、传感器接口电路、数字隔离器以及马达驱动电路等。
　　在通信设备中，该 IC 常用于射频信号放大和调制解调电路。在工业控制系统中，它可以用于驱动继电器、LED 显示器或其他负载设备。此外，KDS184-RTK/P 也常用于嵌入式系统中的电平转换，帮助不同电压域之间的信号兼容。
　　由于其紧凑的封装和高可靠性，KDS184-RTK/P 在消费电子产品中也得到了广泛应用，例如智能手机、平板电脑、便携式游戏设备和可穿戴设备等。其低功耗特性和高频率响应使其成为设计高效能、小型化电子产品时的理想选择。

KDS184-RTK/P 的替代型号包括 KDS184-P/P，KDS184-P，KDS184-RTK，KDS184-RTK/L，以及通用双晶体管阵列 IC 如 LM3904、MCP1400 等。