时间：2025/12/28 15:21:17
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KDS121V-RTK 是一款由 KEC Corporation 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于需要高效率和高性能的电源管理系统。这款 MOSFET 以其低导通电阻、高可靠性和耐用性著称，是许多工业和消费类电子产品的理想选择。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流（Id）：12A
漏源击穿电压（Vds）：60V
栅源击穿电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 15mΩ
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
KDS121V-RTK 具有极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其 TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的热管理性能，还便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接。
此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的输入，这使得它能够与多种控制电路兼容。KDS121V-RTK 还具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行，延长设备的使用寿命。
该 MOSFET 的设计考虑了高可靠性和长寿命，适合在工业自动化、电机控制、电源转换等高要求环境中使用。
KDS121V-RTK 广泛应用于各类电源管理系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统以及各种高电流负载控制电路。其高效的功率处理能力和良好的热管理性能使其成为工业自动化设备、电动工具、电动汽车和消费类电子产品中的优选器件。
Si4410BDY-T1-GE3, FDP6030L, IRFZ44N
