KDS114E 是一款由 KEC(现在的UTC Semiconductor)制造的NPN型双极结型晶体管(BJT),广泛应用于开关和放大电路中。该晶体管具有良好的电流放大性能和高频响应,适用于各种通用电子电路设计。
类型:NPN型晶体管
最大集电极电流(IC):100mA
最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
最大集电极-基极电压(VCB0):50V
最大发射极-基极电压(VEBO):5V
最大功耗(PD):200mW
电流增益(hFE):110-800(根据等级不同)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-92
KDS114E晶体管具有优异的电流放大特性,适用于低功率信号放大和开关控制。其hFE值范围较宽(110至800),便于在不同电路中灵活使用。晶体管的最大集电极电流为100mA,能够满足大多数小功率应用需求。此外,KDS114E具备较高的电压耐受能力,VCEO为30V,VCB0达到50V,使其在多种电路环境中具有良好的稳定性和可靠性。
该晶体管采用TO-92封装,结构紧凑,便于在印刷电路板(PCB)上安装和布线。其最大功耗为200mW,在常温下可长时间稳定工作。此外,KDS114E具有良好的温度适应性,可在-55℃至+150℃的范围内正常运行,适用于工业级和消费级电子产品。
由于其高频响应能力,KDS114E可用于音频放大电路、数字开关电路、传感器信号处理电路等应用场景。在设计中,工程师可以通过调整偏置电路来优化其性能,以满足特定应用的需求。
KDS114E 主要用于低功率放大和开关电路中,例如音频放大器、数字逻辑电路、LED驱动电路、继电器控制电路、传感器接口电路等。此外,该晶体管也可用于电源管理、马达控制和通信设备中的信号处理模块。
2N3904, BC547, PN2222A