时间：2025/9/12 12:48:59
阅读：20
KDR731 是一款由韩国Kec Corporation（KEC）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的平面条形FET技术，具有低导通电阻和高开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及各类电源管理电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25℃）
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-220
导通电阻（Rds(on)）：最大值8.5mΩ（在Vgs=10V时）
KDR731具备低导通电阻的特性，使其在高电流应用中保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。这种MOSFET采用了先进的平面条形技术，确保了良好的热稳定性和较高的电流处理能力。其TO-220封装形式提供了良好的散热性能，适合在较高功率环境下工作。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在多种驱动条件下稳定工作，增强了设计的灵活性。
KDR731还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统效率。它适用于高频开关应用，例如开关电源、同步整流器和DC-DC转换器等。此外，其高耐压能力和优异的热阻性能使其在恶劣环境下也能保持稳定运行。
这款MOSFET还具备良好的短路和过载保护能力，进一步增强了其在工业级应用中的可靠性。KEC在功率器件制造方面的丰富经验确保了KDR731在质量和性能上的高度一致性。
KDR731主要用于电源管理领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统和各类工业控制设备。它也常见于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和LED照明驱动器等。由于其高电流能力和低导通损耗，该器件在需要高效率和高性能功率转换的电路中表现出色。
SiHF731, IRF1404, AO4404, STP100N3LL
