KDR730EL 时间：2025/12/28 16:01:05 阅读：17

KDR730EL 是一款由 KEC Corporation 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等场合。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：70A（在 Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KDR730EL 具备多项优良特性，使其在各种功率应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（典型值为 3.5mΩ）能够显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。这在高频开关应用中尤为重要。
　　其次，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达 70A，适用于高功率密度设计。同时，其热阻较低，有助于在高负载条件下保持良好的热稳定性。
　　此外，KDR730EL 采用了 TO-252 封装，具备良好的散热性能，便于 PCB 布局和焊接。该封装形式也使得该器件适用于表面贴装工艺，提高生产效率。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性，适用于电机驱动、电源转换等场合。
　　最后，KDR730EL 的栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V~20V），兼容多种驱动电路设计，适用于逻辑电平控制。

应用

KDR730EL 主要应用于以下领域：
　　电源管理系统：如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等，利用其低导通电阻和高电流能力提升效率。
　　电机控制：作为 H 桥或 PWM 控制电路中的开关元件，控制直流电机或步进电机的运行。
　　电池管理系统：用于电池充放电控制、保护电路和电源切换。
　　工业自动化：如 PLC、伺服驱动器、变频器等设备中的功率开关控制。
　　汽车电子：适用于车载电源系统、电动工具、车灯控制模块等需要高可靠性和高效率的场合。
　　消费类电子产品：例如笔记本电脑、游戏机、智能家电等设备中的电源管理模块。