KDR331E 时间：2025/12/28 15:47:29 阅读：17

KDR331E是一款由KEC（韩国电子部件公司）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等电力电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，能够在高频率下工作，提高了整体系统的效率和可靠性。KDR331E采用TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装工艺，适合现代电子产品对小型化和高效能的需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A（在Tc=25℃）
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　存储温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　导通电阻（RDS(on)）：约3.3mΩ（典型值，取决于VGS）
　　阈值电压（VGS(th)）：1V至2.5V（在ID=250μA时）

特性

KDR331E MOSFET具有多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高能效。由于采用了先进的沟槽技术，该器件在高电流条件下仍能保持稳定的工作状态，具有出色的热稳定性。此外，KDR331E的栅极设计优化了开关特性，降低了开关损耗，并减少了因高频操作而产生的电磁干扰（EMI）。该器件的TO-252封装不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，提高了PCB布局的灵活性和可靠性。KDR331E的宽工作温度范围（-55℃至175℃）使其适用于各种严苛环境下的工业和汽车应用。

应用

KDR331E常用于各类电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、逆变器以及LED照明驱动电路。其高效率和良好的热性能也使其成为汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品中的理想选择。例如，在DC-DC降压转换器中，KDR331E可作为主开关管，有效提升转换效率并减小电路体积；在电机控制应用中，它可以作为H桥结构中的功率开关，实现对电机转速和方向的精确控制。此外，在高功率LED照明系统中，KDR331E可用于实现恒流驱动，确保LED亮度的稳定性和寿命。