型号：KD721KA1
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：9.5A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：38A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ @ VGS=10V, ID=4.7A
　　导通电阻（RDS(on)）：11mΩ @ VGS=4.5V, ID=4.7A
　　输入电容（Ciss）：1060pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：380pF @ VDS=15V
　　反向传输电容（Crss）：85pF @ VDS=15V
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：22ns
　　总栅极电荷（Qg）：23nC @ VGS=10V
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOP-8

KD721KA1具备优异的导通性能和开关特性，其核心优势在于采用了东芝专有的U-MOS VIII-H沟槽工艺技术，这种先进的制造工艺显著降低了单位面积下的导通电阻，从而提升了整体能效并减少了热损耗。该器件在VGS=10V时可实现低至8.5mΩ的RDS(on)，即使在较低的驱动电压如4.5V下也能保持11mΩ的低阻状态，这使其非常适合用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，例如由PWM控制器直接控制的同步整流电路。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达9.5A，短时脉冲电流更高达38A，能够在瞬态负载条件下稳定运行。
　　KD721KA1还具备出色的电容特性，输入电容仅为1060pF，输出电容为380pF，反向传输电容（Crss）低至85pF，这些参数有助于减少开关过程中的能量损失，提高系统的开关频率上限，进而减小外围滤波元件的尺寸，有利于电源小型化设计。同时，其栅极电荷Qg为23nC，在同类产品中属于较低水平，意味着驱动电路所需的功耗更小，有助于提升整体系统效率。
　　该器件的封装采用SOP-8形式，引脚布局经过优化，通常将多个源极引脚独立引出或并联使用，以降低寄生电感和增强散热能力。内部结构设计也考虑到了热稳定性，芯片与封装之间的热阻较低，确保在高负载工作状态下仍能维持可靠运行。此外，KD721KA1具有良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了在恶劣工作环境下的鲁棒性。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在工业级温度范围内长期稳定工作，适用于多种严苛应用场景。

KD721KA1主要应用于各类中低功率开关电源系统中，特别是在同步整流拓扑中发挥着关键作用。在反激式（Flyback）、正激式（Forward）或LLC谐振变换器中，它常被用作次级侧的同步整流管，替代传统的肖特基二极管，从而大幅降低导通压降和功率损耗，显著提升电源转换效率，尤其是在轻载和满载条件下均能保持较高的能效表现。此外，该器件也广泛用于DC-DC降压或升压转换器中，作为主开关或续流开关使用，常见于主板供电、显卡供电模块及嵌入式电源系统中。
　　在消费类电子产品领域，KD721KA1被大量应用于液晶电视、显示器、机顶盒、路由器和笔记本电脑适配器等设备的电源板上。由于其SOP-8封装支持自动化贴片生产，且体积小巧，非常适用于空间受限的高密度PCB布局。同时，该器件也适用于电池供电系统中的负载开关或电源路径管理，能够实现快速响应和低静态功耗控制。
　　工业控制方面，KD721KA1可用于小型电机驱动电路、继电器驱动模块或LED恒流驱动电源中，凭借其快速开关能力和低导通损耗，有助于提升系统响应速度和能源利用率。此外，在电信设备和网络通信电源模块中，该MOSFET也因其高可靠性与稳定性而受到青睐。总体而言，KD721KA1是一款通用性强、性价比高的功率MOSFET，适用于多种对效率、尺寸和成本有综合要求的应用场景。

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　　 "TK095N03L",
　　 "SISS020DN,T1GE",
　　 "AOZ5215CI"
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