KC400256SL546 时间：2025/12/26 16:53:36 阅读：10

KC400256SL546是一款由韩国厂商Kia Semiconductor（现为KNAN Semiconductor）生产的高压、大电流N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用而设计，具备优良的导通特性和快速开关能力。KC400256SL546采用先进的平面栅极工艺制造，能够在高温和高电压环境下稳定工作，适用于工业控制、消费电子及通信设备中的功率管理模块。该MOSFET封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的热性能和机械稳定性，便于在PCB上进行表面贴装。其低栅极电荷和低输入电容特性使其在高频开关应用中表现出色，能有效降低驱动损耗并提升系统整体效率。此外，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的可靠性。KC400256SL546广泛用于笔记本电脑适配器、LED照明电源、电动工具电源管理系统等领域。

参数

型号：KC400256SL546
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：400V
　　连续漏极电流（Id）：2.5A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：10A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤5.4Ω（@Vgs=10V, Id=1.3A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2~4V（@Id=250μA）
　　最大功耗（Pd）：50W（@Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252（DPAK）
　　输入电容（Ciss）：380pF（@Vds=25V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：110pF（@Vds=25V, f=1MHz）
　　反向传输电容（Crss）：30pF（@Vds=25V, f=1MHz）
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　上升时间（tr）：45ns
　　关闭延迟时间（td(off)）：40ns
　　下降时间（tf）：25ns

特性

KC400256SL546具备优异的电气性能与热稳定性，适用于中高功率开关应用场景。其400V的漏源击穿电压使其能够胜任多数离线式开关电源的设计需求，尤其适合反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中的主开关管角色。该器件的低导通电阻（典型值低于5.4Ω）有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高电源系统的整体能效，并降低散热设计难度。同时，较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw）使得驱动电路所需的驱动功率更小，在高频工作条件下仍可保持高效运行。
　　该MOSFET采用TO-252封装，具有较大的焊盘面积以利于热量传导至PCB，提升了器件在持续负载下的可靠性。其内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力，可在瞬态过压或感性负载切换过程中提供一定程度的自我保护。此外，器件的阈值电压范围合理（2~4V），确保在标准逻辑电平驱动下也能实现可靠开启，兼容多种PWM控制器输出。
　　在温度特性方面，KC400256SL546能在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作，适应严苛的工业环境。其热阻抗（Rθjc）较低，约为2.5°C/W，有利于在高功率密度设计中控制温升。尽管其连续漏极电流标称为2.5A，但在实际应用中需根据散热条件和工作频率进行降额使用，以确保长期运行的可靠性。总体而言，该器件在性价比、性能表现和封装便利性之间取得了良好平衡，是许多中小功率电源设计中的理想选择之一。

应用

KC400256SL546主要应用于各类需要高压开关功能的电源系统中。常见用途包括：离线式AC-DC开关电源，如手机充电器、笔记本电脑适配器、家用电器内置电源模块；DC-DC升压或降压转换器，特别是在太阳能灯具、电动车控制器等场合；LED恒流驱动电源，用于户外照明或室内商业照明系统；电机驱动电路，例如小型风扇、电动玩具或智能锁等低功率电机控制场景；此外，也广泛用于UPS不间断电源、逆变器、电子镇流器等工业与消费类电子产品中。由于其具备良好的高频响应能力和较高的耐压水平，该器件特别适合工作频率在几十kHz到数百kHz之间的开关电源拓扑，如反激变换器（Flyback Converter）和半桥变换器（Half-Bridge Converter）。在这些应用中，KC400256SL546不仅承担主开关功能，还能通过优化驱动波形进一步提升系统效率。其表面贴装封装形式也便于自动化生产，适合大规模批量制造。