类型：PIN二极管
　　封装形式：表面贴装（SOD-323或类似）
　　最大反向电压：30V
　　最大正向电流：100mA
　　结电容（Cj）：0.35pF @ 4V
　　串联电阻（Rs）：1.8Ω
　　载流子寿命（τ）：30ns
　　热阻（Rth）：300°C/W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　截止频率（fT）：典型值 > 3GHz

KC2-36+ PIN二极管的核心特性之一是其在高频应用中的优异开关性能。由于采用了优化的GaAs半导体工艺，该器件具有非常低的结电容（典型值为0.35pF），这显著降低了在高频信号路径中的电容性负载效应，从而实现了更低的插入损耗和更高的信号传输效率。与此同时，其串联电阻（Rs）仅为1.8Ω，进一步提升了导通状态下的品质因数（Q值），使其非常适合用于构建高性能的射频开关和可变衰减器电路。这种低Rs与低Cj的组合使得KC2-36+能够在从几百MHz到数GHz的宽频带内保持稳定的阻抗匹配特性，减少信号反射和失真。
　　另一个关键特性是其30ns的载流子寿命（τ），这一参数决定了PIN二极管在开关模式下的响应速度和非线性行为。较长的载流子寿命有助于提高二极管在大信号条件下的线性度，降低互调失真（IMD），这对于多载波通信系统尤为重要。同时，该寿命值也保证了足够的开关速度，使KC2-36+能够胜任中等速率的射频切换任务，如TDD（时分双工）系统中的收发切换控制。此外，该器件具备良好的功率处理能力，在连续波（CW）和脉冲工作模式下均能稳定运行，最大正向电流可达100mA，反向击穿电压为30V，满足大多数中等功率射频应用的需求。
　　在环境适应性和可靠性方面，KC2-36+ 具有宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），可在极端气候条件下稳定工作，适用于户外基站、航空航天及军事电子设备。其热阻为300°C/W，表明其具备一定的自发热管理能力，结合适当的PCB布局设计，可有效延长器件使用寿命。表面贴装封装不仅节省空间，还支持自动化贴片生产，提升制造效率。此外，该器件通过了严格的可靠性认证，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和湿度敏感等级（MSL）测试，确保在长期运行中的稳定性与一致性。

KC2-36+ 主要应用于各类高频和微波射频系统中，特别是在需要精确控制射频信号路径的场合。一个典型应用是在射频开关电路中，作为单刀双掷（SPDT）或多路开关的核心元件，用于实现发射与接收通道之间的快速切换，常见于无线通信基站、雷达前端模块和软件定义无线电（SDR）系统中。由于其低插入损耗和高隔离度特性，该二极管能够有效提升系统的信噪比和整体性能。
　　在可变衰减器设计中，KC2-36+ 可通过调节正向偏置电流来改变其等效阻抗，从而实现对射频信号幅度的连续或步进控制，广泛用于自动增益控制（AGC）环路和功率电平调节模块。此外，它还可用于调制器、限幅器和相位阵列天线中的相位控制单元，凭借其良好的线性度和温度稳定性，保障复杂调制信号的保真传输。
　　在测试与测量设备领域，如矢量网络分析仪（VNA）和信号发生器中，KC2-36+ 被用于内部信号路由切换，确保测试路径的高精度和重复性。其在电子战（EW）系统中的应用也十分突出，例如在干扰机和侦测系统中用于动态重构射频链路，以应对不断变化的威胁环境。此外，该器件还适用于卫星通信终端、毫米波回传链路和5G毫米波前端模块，在这些新兴技术中发挥着关键作用。

MA4P7490-365
　　HSMP-3814
　　SMS7621-079