类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.027Ω @ Vgs=10V
　　漏源击穿电压（BVDSS）：100V
　　栅极电荷（Qg）：17nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

KBJ-1008G-HF 具备多项优异特性，适用于高频开关和高效率电源设计。其主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗，提高系统效率。该器件的高栅极电荷（Qg）优化了开关性能，降低了开关损耗，在高频应用中表现尤为出色。
　　此外，KBJ-1008G-HF 的 TO-252 封装形式具有良好的热性能，能够有效散热，确保器件在高电流负载下稳定运行。该封装还支持表面贴装工艺，提高了生产自动化水平和组装效率。
　　该 MOSFET 在极端温度条件下也能保持稳定性能，工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
　　其高耐压特性（100V Vds）使其适用于多种电压转换系统，如同步整流、马达驱动器和电池管理系统。此外，±20V 的最大栅极电压增强了器件在不同控制策略下的适应能力。

KBJ-1008G-HF 主要应用于需要高效率和高频开关性能的电力电子系统中。典型应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、降压（Buck）和升压（Boost）变换器、负载开关、马达控制器以及便携式电子设备的电源管理模块。
　　在电源管理领域，该器件可用于笔记本电脑、服务器、路由器和通信设备中的电源转换电路，提高能效并减小电路体积。
　　由于其良好的热性能和封装兼容性，也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）和电子控制单元（ECU）等。
　　此外，KBJ-1008G-HF 还广泛应用于工业自动化设备、LED 驱动器、UPS（不间断电源）和智能电表等产品中，作为主开关或同步整流元件。

IRFZ44N, FDPF08N10L, FDS8954, AO4408, Si4406DY