时间：2025/12/28 15:24:26
阅读：11
KAC3303DN是一款由KEC Corporation生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用。这款MOSFET具备低导通电阻和高耐压特性，使其在高电流和高频率环境下表现优异。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A（在TC=25°C）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（当VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
KAC3303DN具备极低的导通电阻，使其在高电流条件下能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。其先进的沟槽式MOSFET结构进一步优化了导通和开关性能。
该器件具有较高的热稳定性和过载能力，适用于需要高可靠性和高稳定性的工业级应用。此外，KAC3303DN的封装设计提供了良好的散热性能，使其能够在高温环境下稳定工作。
此外，该MOSFET具有较快的开关速度，适用于高频开关电源应用。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与控制器IC直接连接，无需额外的栅极驱动器。
KAC3303DN常用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关和电源管理模块等场合。此外，它也适用于服务器电源、通信设备电源、工业自动化控制设备等高要求应用环境。
SiR344DP-T1-GE3
IRF1324S-7PPBF
NVTFS5C471NLWFTAG
