KA4S0880-FYDTV是一款由韩国KEC公司生产的功率MOSFET晶体管,主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面技术制造,具备优良的导通和开关特性,适用于电源转换、DC-DC变换器、逆变器以及电机控制等高频率应用场合。该MOSFET采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的热性能和可靠性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):800V
漏极电流(Id):8A(最大)
导通电阻(Rds(on)):典型值为1.2Ω
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
KA4S0880-FYDTV具备良好的导通性能和较低的导通损耗,这使得它在高频开关应用中表现出色。该器件具有较高的击穿电压能力,可承受较大的电压波动,适用于各种恶劣的电源环境。其低栅极电荷(Qg)特性有助于减少开关损耗,提高整体效率。此外,TO-252封装形式具备良好的散热能力,能够有效降低工作温度,提高器件的可靠性和寿命。该MOSFET还具有快速开关能力,适用于要求快速响应的控制系统。
该器件还具备良好的抗雪崩能力,能够在高能脉冲环境下稳定工作。此外,其结构设计优化了电磁干扰(EMI)性能,有助于减少外部干扰对电路的影响,提升系统稳定性。这些特性使KA4S0880-FYDTV在电源管理、电机驱动和工业自动化等应用中具有广泛的应用前景。
该MOSFET主要用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED照明驱动、逆变器、UPS系统、电机控制、工业自动化设备以及各种高电压高频率转换系统中。
FQA8N80C, 2SK2545, IRF840, STF8NM80