类型：FET驱动器
　　通道数：2通道（双通道）
　　电源电压范围：10V至20V
　　输出电流：典型值为1.5A（源电流）和2A（灌电流）
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　封装形式：TSSOP（薄型小外形封装）
　　输入信号兼容性：CMOS/TTL兼容
　　上升/下降时间：典型值为10ns（与负载条件有关）
　　隔离电压：内部高边与低边之间具有高隔离度
　　传播延迟：典型值为100ns
　　封装引脚数：14引脚

KA1H0280RTU具有多项高性能特性，适合用于高功率和高频率的开关应用。首先，该驱动器具有高输出电流能力，能够快速驱动高栅极电容的MOSFET和IGBT器件，从而减少开关损耗并提高系统效率。其输出电流典型值为1.5A（源电流）和2A（灌电流），可确保稳定的开关性能。
　　其次，该器件支持宽电源电压范围（10V至20V），使其能够适应多种电源设计需求，并确保在不同负载条件下的稳定运行。KA1H0280RTU采用高边和低边双通道架构，适用于半桥和全桥拓扑结构，广泛用于DC-DC转换器、马达驱动器和电源管理系统。
　　此外，该驱动器具备优异的抗干扰能力和高隔离度，能够有效防止高边开关过程中产生的噪声干扰低边电路，从而提高系统的稳定性和可靠性。其输入信号兼容CMOS/TTL电平，便于与各种微控制器和逻辑电路连接。
　　该器件还内置了欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时，输出将被禁用，以防止MOSFET在非理想条件下工作。这种保护机制有助于延长功率器件的使用寿命并提升系统安全性。

KA1H0280RTU主要用于需要高效驱动MOSFET或IGBT的高功率电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器、工业自动化控制系统、UPS不间断电源以及车载电子系统。由于其双通道架构和高隔离性能，它特别适用于需要高可靠性和高效率的电源管理应用。

IR2110、LM5101B、TC4420、MIC502