时间：2025/7/22 10:57:21
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KA1H0280RB是一款由三星（Samsung）生产的场效应晶体管（MOSFET），主要用于功率转换和电源管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具有高耐压、大电流承载能力和低导通电阻的特性，适合在高效率电源系统中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：600V
最大漏极电流（ID）：8A
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.65Ω
最大功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V 至 4V
KA1H0280RB采用高耐压设计，能够在高达600V的电压下稳定工作，适用于各种高电压应用场景。其低导通电阻特性有助于降低导通损耗，提高电源转换效率，同时减少热量产生，提高系统的可靠性和寿命。
该器件的封装形式为TO-220，便于安装在散热器上，有助于提高散热效率，适用于需要高功率密度的设计。此外，KA1H0280RB具备较强的电流承载能力，最大漏极电流可达8A，适用于中高功率电源系统。
其栅极阈值电压范围为2V至4V，支持多种驱动电路设计，适应性强。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和抗冲击能力，能够在复杂的工作环境下保持稳定运行。
KA1H0280RB广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、充电器和逆变器等电力电子设备中，能够有效提高系统的整体性能。
KA1H0280RB适用于多种电源管理和功率转换应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机控制器、LED照明驱动器以及UPS（不间断电源）系统。其高耐压、低导通电阻和大电流能力使其成为高效能、高可靠性电源系统中的理想选择。
K2803, 2SK2803, IRF840, FQA8N60
