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K9WBG08U1M 发布时间 时间:2025/7/22 11:01:30 查看 阅读:4

K9WBG08U1M 是三星(Samsung)推出的一款NAND闪存芯片,属于其K9系列的高性能、低功耗存储解决方案。该芯片设计用于需要大容量存储和高速数据传输的嵌入式系统,如智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)和各种便携式电子设备。K9WBG08U1M 采用8位并行接口(x8),支持ONFI 2.3标准,具备较高的读写性能和可靠性。

参数

型号: K9WBG08U1M
  类型: NAND Flash
  容量: 1GB (8Gb)
  接口类型: ONFI 2.3 (x8 Parallel)
  电压范围: 1.8V - 3.3V 多电压支持
  工作温度范围: -40°C 至 +85°C
  封装类型: TSOP
  读取速度: 最大 50MB/s
  写入速度: 最大 20MB/s
  擦除速度: 最大 2ms
  支持ECC: 是,支持错误校正码
  耐久性: 10,000 次编程/擦除周期
  数据保留: 10 年

特性

K9WBG08U1M NAND闪存芯片具有多项显著特性,适用于多种高性能存储应用。首先,它支持ONFI 2.3接口标准,提供了更高的数据传输速率和兼容性,使得与主控芯片之间的通信更加高效。其8位并行接口设计(x8)确保了较高的带宽利用率,适合对速度有较高要求的应用场景。
  该芯片采用多电压供电设计,支持1.8V至3.3V的工作电压范围,能够在不同的系统环境中灵活使用,尤其适合低功耗设备。此外,其TSOP封装形式具有良好的热稳定性和机械可靠性,适用于紧凑型电子产品。
  K9WBG08U1M具备较强的耐用性,支持高达10,000次的编程/擦除周期,能够满足频繁写入和擦除需求的应用场景。同时,它支持ECC(错误校正码)功能,可以在数据读取过程中自动检测和纠正错误,提高数据存储的可靠性。
  在性能方面,K9WBG08U1M的读取速度最高可达50MB/s,写入速度可达20MB/s,擦除操作时间低至2毫秒,非常适合需要快速响应和高效数据处理的嵌入式系统。数据保留时间长达10年,确保了长期存储的稳定性。
  此外,该芯片支持宽温度范围(-40°C至+85°C)的工作环境,适合在工业级应用中使用,如车载设备、工业控制设备和户外通信设备。

应用

K9WBG08U1M NAND闪存芯片广泛应用于各类嵌入式系统和便携式电子设备中。常见的应用包括智能手机、平板电脑、MP3播放器、数码相机等消费类电子产品,以及工业控制设备、车载导航系统、医疗设备和安防监控设备等工业级应用场景。
  在智能手机和平板电脑中,K9WBG08U1M可以作为主存储器,用于存储操作系统、应用程序和用户数据,提供大容量和高速的数据访问能力。在固态硬盘(SSD)中,它可以作为缓存或辅助存储单元,提升整体存储系统的性能和可靠性。
  由于其低功耗特性和宽温度范围的工作能力,K9WBG08U1M也适用于户外通信设备、智能电表、POS终端和物联网(IoT)设备等要求高稳定性和耐用性的应用场合。

替代型号

K9F1G08U0D, K9F1G08U0M, H27U1G8F2B, MT29F1G08ABAEAWP

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