时间：2025/7/22 11:01:30
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K9WBG08U1M 是三星（Samsung）推出的一款NAND闪存芯片，属于其K9系列的高性能、低功耗存储解决方案。该芯片设计用于需要大容量存储和高速数据传输的嵌入式系统，如智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）和各种便携式电子设备。K9WBG08U1M 采用8位并行接口（x8），支持ONFI 2.3标准，具备较高的读写性能和可靠性。
型号: K9WBG08U1M
类型: NAND Flash
容量: 1GB (8Gb)
接口类型: ONFI 2.3 (x8 Parallel)
电压范围: 1.8V - 3.3V 多电压支持
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
封装类型: TSOP
读取速度: 最大 50MB/s
写入速度: 最大 20MB/s
擦除速度: 最大 2ms
支持ECC: 是，支持错误校正码
耐久性: 10,000 次编程/擦除周期
数据保留: 10 年
K9WBG08U1M NAND闪存芯片具有多项显著特性，适用于多种高性能存储应用。首先，它支持ONFI 2.3接口标准，提供了更高的数据传输速率和兼容性，使得与主控芯片之间的通信更加高效。其8位并行接口设计（x8）确保了较高的带宽利用率，适合对速度有较高要求的应用场景。
该芯片采用多电压供电设计，支持1.8V至3.3V的工作电压范围，能够在不同的系统环境中灵活使用，尤其适合低功耗设备。此外，其TSOP封装形式具有良好的热稳定性和机械可靠性，适用于紧凑型电子产品。
K9WBG08U1M具备较强的耐用性，支持高达10,000次的编程/擦除周期，能够满足频繁写入和擦除需求的应用场景。同时，它支持ECC（错误校正码）功能，可以在数据读取过程中自动检测和纠正错误，提高数据存储的可靠性。
在性能方面，K9WBG08U1M的读取速度最高可达50MB/s，写入速度可达20MB/s，擦除操作时间低至2毫秒，非常适合需要快速响应和高效数据处理的嵌入式系统。数据保留时间长达10年，确保了长期存储的稳定性。
此外，该芯片支持宽温度范围（-40°C至+85°C）的工作环境，适合在工业级应用中使用，如车载设备、工业控制设备和户外通信设备。
K9WBG08U1M NAND闪存芯片广泛应用于各类嵌入式系统和便携式电子设备中。常见的应用包括智能手机、平板电脑、MP3播放器、数码相机等消费类电子产品，以及工业控制设备、车载导航系统、医疗设备和安防监控设备等工业级应用场景。
在智能手机和平板电脑中，K9WBG08U1M可以作为主存储器，用于存储操作系统、应用程序和用户数据，提供大容量和高速的数据访问能力。在固态硬盘（SSD）中，它可以作为缓存或辅助存储单元，提升整体存储系统的性能和可靠性。
由于其低功耗特性和宽温度范围的工作能力，K9WBG08U1M也适用于户外通信设备、智能电表、POS终端和物联网（IoT）设备等要求高稳定性和耐用性的应用场合。
K9F1G08U0D, K9F1G08U0M, H27U1G8F2B, MT29F1G08ABAEAWP
