时间：2025/5/8 12:12:47
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K9WAG08U1M-PCBO 是一款由三星电子生产的 NAND Flash 存储芯片，采用 64Gb（8GB）容量设计，基于 MLC（多层单元）技术。该芯片广泛应用于需要大容量存储的消费类电子产品中，例如固态硬盘（SSD）、USB 闪存盘和嵌入式存储设备。
该芯片支持 ONFI（Open NAND Flash Interface）标准，具备高可靠性和高性能，能够满足数据密集型应用的需求。
容量：8GB
存储类型：MLC NAND Flash
接口标准：ONFI 3.0
工作电压Vcc：2.7V 至 3.6V
数据传输速率：最高 200MB/s
封装形式：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
页大小：8KB
块大小：1MB
K9WAG08U1M-PCBO 的主要特性包括高密度存储能力、低功耗操作和快速的数据访问性能。
1. 高密度：通过使用先进的工艺技术，此芯片能够在小巧的封装内提供 8GB 的存储空间。
2. 快速读写：支持高达 200MB/s 的数据传输速率，确保流畅的数据处理体验。
3. 可靠性：采用 MLC 技术，相比 SLC 提供了更大的存储容量，同时保持较高的耐用性和可靠性。
4. 兼容性：遵循 ONFI 3.0 标准，便于与其他符合 ONFI 的控制器或系统集成。
5. 节能设计：优化的工作电压范围和低功耗模式使其非常适合便携式设备和对能源效率要求较高的应用场景。
K9WAG08U1M-PCBO 主要应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：
作为核心存储组件之一，提供大容量的非易失性存储解决方案。
2. USB 闪存盘：
用于制造高速 USB 存储设备，提升文件传输速度。
3. 嵌入式系统：
如工业控制设备、网络路由器和智能家电等需要稳定存储的场景。
4. 消费类电子产品：
例如平板电脑、数码相机和便携式多媒体播放器等，提供可靠的存储支持。
K9WBG08U1M-PCKB, K9WCG08U1M-PCEB
