K9WAG08U1D-SIBO 是一款由三星(Samsung)生产的NAND闪存芯片,采用MLC(多层单元)技术,广泛应用于存储设备中。该芯片提供高密度、低功耗的数据存储解决方案,适用于需要大容量存储的应用场景,如固态硬盘(SSD)、USB闪存盘以及嵌入式存储系统。
该型号属于K9WA系列,支持ONFI(Open NAND Flash Interface)标准协议,具备较快的读写速度和较高的可靠性。
容量:8GB
接口类型:ONFI 2.3
工作电压:2.7V ~ 3.6V
封装形式:TSOP
数据传输速率:最高133MT/s
擦写寿命:约3000次
工作温度:-40°C ~ +85°C
引脚数:48
K9WAG08U1D-SIBO 具有以下主要特性:
1. 高密度存储:单颗芯片提供8GB容量,适合对空间要求严格的环境。
2. 低功耗设计:优化了芯片的工作电压范围,能够有效降低功耗。
3. 快速性能:支持ONFI 2.3标准,提供了高达133MT/s的数据传输速率。
4. 可靠性:采用MLC技术,具备较长的使用寿命和较高的数据完整性。
5. 广泛的温度范围:能够在-40°C至+85°C之间稳定工作,适应多种环境条件。
6. 易于集成:TSOP封装形式便于在各种电路板上进行焊接和安装。
K9WAG08U1D-SIBO 主要应用于以下领域:
1. 固态硬盘(SSD):
提供高容量和高性能的存储功能,是消费级和工业级SSD的理想选择。
2. USB闪存盘:
用于制造大容量U盘,满足用户对便携存储的需求。
3. 嵌入式存储系统:
应用于工业控制、汽车电子等领域的嵌入式设备中,提供可靠的存储解决方案。
4. 数字消费电子产品:
如数码相机、摄像机、媒体播放器等需要大容量存储的设备。
K9WBG08U5M-SCK0, K9WCG08U1M