时间：2025/7/16 13:01:01
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K9WAG08U1A-ICB00 是一款由三星（Samsung）制造的 NAND 闪存芯片。该芯片主要用于存储数据，具有高密度、低功耗和快速读写的特点，广泛应用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、SSD 固态硬盘以及其他需要大容量存储的设备中。
这款芯片采用 MLC（多层单元）技术，支持 ONFI（开放 NAND 闪存接口）标准，能够提供稳定的数据传输性能和较长的使用寿命。
类型：NAND 闪存
容量：8Gb (1GB)
接口：ONFI 2.3/3.0
工作电压：Vcc = 3.3V, Vccq = 1.8V
封装形式：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保留时间：10 年
擦写周期：3000 次
K9WAG08U1A-ICB00 具有以下显著特性：
1. 高存储密度：单颗芯片即可实现大容量存储，适合对空间要求严格的便携式设备。
2. 快速数据传输：支持 ONFI 接口协议，可实现高达 200MB/s 的数据吞吐量。
3. 节能设计：采用低功耗架构，在待机和活动模式下均能有效降低功耗。
4. 稳定性与可靠性：具备 ECC（错误校正码）功能，能够检测并修复数据传输中的错误，确保数据完整性。
5. 宽温支持：适用于各种环境条件下的应用，包括工业和消费级场景。
K9WAG08U1A-ICB00 主要应用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑等移动设备的内部存储。
2. SSD 固态硬盘作为缓存或主存储介质。
3. 数字相机和摄像机的存储卡。
4. 工业控制设备和嵌入式系统中的数据记录模块。
5. 游戏机和多媒体播放器的固件存储区域。
6. 物联网设备和其他需要非易失性存储的应用场景。
K9WBG08U1M-TCK0, K9WCG08U1M-TCC0, K9WBG08U1M-TCH0
