类型：NAND Flash
　　容量：1Gbit（128MB）
　　组织结构：1024块 x 64页/块 x 2048字节/页 + 64字节备用区
　　工艺技术：MLC（Multi-Level Cell）
　　电压范围：2.7V ~ 3.6V（典型值3.3V）
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP-48
　　接口类型：并行NAND接口
　　编程时间：典型1.5ms/页
　　擦除时间：典型2ms/块
　　ECC要求：建议使用外部或控制器内置ECC（通常需支持每512字节纠正4位以上）

K9T1G08UOM-FIBO具有多项关键特性，使其在嵌入式存储应用中表现出色。首先，该芯片采用MLC技术，在保证较高存储密度的同时有效控制了制造成本，适用于需要大容量但预算受限的应用场景。其次，其每页容量为2KB主数据区加64字节备用区，这种结构便于实现文件系统管理和元数据存储，例如用于存放ECC校验码、逻辑地址映射表或磨损均衡信息。
　　该器件支持串行访问模式，通过I/O引脚分时传输地址和数据，减少了引脚数量，有助于简化PCB布局并降低整体系统成本。此外，K9T1G08UOM-FIBO具备高效的编程和擦除操作性能，页编程时间典型值为1.5毫秒，块擦除时间为2毫秒，能够满足大多数实时性要求不极端苛刻的应用需求。芯片内部支持随机读取和顺序读取两种模式，允许快速访问特定数据区域，提升系统响应速度。
　　在可靠性方面，该NAND Flash设计有完善的坏块管理制度。出厂时已标记初始坏块，用户在使用过程中也可根据擦写异常情况动态标记新的坏块，结合主控芯片的坏块管理算法可显著延长使用寿命。同时，由于MLC NAND对电压波动和高温更为敏感，该芯片推荐配合使用电源监控和温度补偿机制以确保长期数据完整性。另外，器件支持待机模式，可在空闲状态下自动进入低功耗状态，有助于延长电池供电设备的工作时间。
　　值得注意的是，该芯片无内置硬件ECC，必须依赖外部控制器提供足够的纠错能力，通常建议使用能支持BCH或LDPC解码的主控方案。整体而言，K9T1G08UOM-FIBO是一款成熟可靠的中小容量NAND闪存解决方案，兼顾性能、功耗与成本，适用于广泛的消费类和工业类应用场景。

K9T1G08UOM-FIBO广泛应用于各类需要中等容量非易失性存储的电子设备中。常见用途包括智能手机和平板电脑中的固件存储或辅助数据缓存，尤其适用于早期或入门级移动设备平台。在数码相机和摄像机中，它可用于存储操作系统代码、配置参数或临时图像缓冲数据。此外，该芯片也常被用于工业控制设备，如PLC控制器、HMI人机界面终端和数据采集模块，作为程序存储介质或运行日志记录载体。
　　在便携式消费类产品中，例如MP3播放器、电子书阅读器和车载导航仪，K9T1G08UOM-FIBO因其小尺寸封装和较低功耗特性而受到青睐。其TSOP-48封装形式便于自动化贴片生产，适合大规模制造。在嵌入式Linux系统中，该芯片可用于存放Bootloader、内核镜像或根文件系统，配合YAFFS或UBIFS等专为NAND优化的文件系统实现稳定运行。
　　此外，该器件还可用于网络通信设备，如路由器、交换机等，用于保存固件备份或配置信息。在智能家电领域，如智能电视、机顶盒和家庭网关中，它也能承担系统启动代码的存储任务。由于其具备工业级温度适应能力，因此也可部署于户外或恶劣环境下的设备中，例如安防监控摄像头、远程抄表终端和车载电子装置。总之，凡是需要可靠、低成本、中小型NAND闪存的场合，K9T1G08UOM-FIBO都是一个可行的选择。

MT29F1G08ABAEAWP-IT: Micron出品的兼容型NAND Flash，相同容量与封装
　　W29N01GV-SP: Winbond华邦电子的1Gb SLC NAND Flash替代方案
　　TC58NYG0S2HBAI0: Toshiba/铠侠生产的1Gb NAND Flash，引脚兼容且性能相近