时间：2025/11/12 21:10:57
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K9LBGZ8U1D-RCK0 是由三星（Samsung）生产的一款高密度、高性能的NAND闪存芯片，属于其V-NAND（垂直NAND）产品线的一部分。该器件采用先进的3D堆叠技术，实现了更高的存储密度和更优的读写性能，同时具备更低的功耗和更强的可靠性，适用于对存储容量和数据吞吐能力要求较高的应用场景。该芯片通常用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、移动设备以及企业级存储解决方案中。K9LBGZ8U1D-RCK0 提供大容量非易失性存储，支持多层单元（MLC）或三层单元（TLC）技术，能够在断电后依然保持数据完整性。其封装形式为BGA（球栅阵列），便于在高密度PCB设计中使用，并通过标准化的ONFI或Toggle Mode接口协议与主控芯片通信，确保良好的兼容性和高速数据传输能力。此外，该芯片内置ECC（错误校正码）、坏块管理、磨损均衡等高级功能，提升了整体系统的稳定性和使用寿命。作为三星高端存储产品之一，K9LBGZ8U1D-RCK0 广泛应用于消费类电子产品及工业级设备中，满足现代电子系统对大容量、高速度、低延迟存储日益增长的需求。
型号：K9LBGZ8U1D-RCK0
制造商：Samsung
存储类型：NAND Flash
存储容量：128Gb（16GB）
工艺技术：3D V-NAND
堆叠层数：48层或以上（具体依批次而定）
单元类型：TLC（Triple-Level Cell）
接口类型：Toggle DDR Interface 2.0
工作电压：Vcc = 2.7V ~ 3.6V，VccQ = 1.7V ~ 1.95V
封装形式：BGA
引脚数：132-ball
温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
编程时间：典型值约500μs
擦除时间：典型值约1.5ms
读取延迟：典型值约25μs
耐久性：约1000次P/E循环（Program/Erase Cycles）
数据保持时间：10年（在额定工作条件下）
K9LBGZ8U1D-RCK0 采用了三星领先的3D V-NAND技术，通过将存储单元垂直堆叠在硅基板上，突破了传统平面NAND在尺寸微缩上的物理限制，从而实现更高的存储密度和更好的电气性能。这种垂直结构不仅提高了单位面积的存储容量，还显著降低了单元间的干扰效应，提升了数据的可靠性和稳定性。该芯片采用TLC（Triple-Level Cell）技术，每个存储单元可存储3比特数据，进一步提升了容量性价比，适用于需要大容量存储但成本敏感的应用场景。
该器件支持Toggle DDR Interface 2.0，提供高达400MT/s的数据传输速率，能够满足高速数据读写需求，尤其适合用于SSD主控、智能手机UFS存储模块以及其他高性能嵌入式系统中。其低功耗设计包括动态电压调节和多种待机/休眠模式，在保证高性能的同时有效延长电池寿命，特别适用于移动设备。
内置智能管理功能是K9LBGZ8U1D-RCK0的重要特性之一。芯片集成了硬件ECC引擎，可实时检测并纠正多位错误，确保数据完整性；同时支持动态和静态坏块管理、磨损均衡算法，延长了整体使用寿命。此外，它还具备强大的抗干扰能力和高温操作稳定性，可在严苛环境下长期运行。所有这些特性使得K9LBGZ8U1D-RCK0 成为工业控制、车载电子、高端消费类设备中理想的非易失性存储解决方案。
K9LBGZ8U1D-RCK0 广泛应用于多种需要高容量、高速度和高可靠性的电子系统中。在消费类电子产品领域，它常被用作智能手机、平板电脑中的内部存储组件，配合主控芯片实现高效的文件系统管理。在固态硬盘（SSD）应用中，该NAND闪存可用于构建SATA或NVMe协议下的存储模组，适用于笔记本电脑、台式机及入门级服务器，提供快速的系统启动和应用程序加载体验。
在嵌入式系统方面，K9LBGZ8U1D-RCK0 可作为工业控制器、POS终端、医疗设备的数据存储介质，支持频繁的数据写入与长期数据保存。其宽温工作范围使其适用于户外设备、车载信息系统（IVI）以及轨道交通控制系统等恶劣环境下的应用。
此外，该芯片也适用于网络通信设备，如路由器、交换机中的固件存储与日志记录，保障系统稳定运行。在监控系统中，它可以用于DVR/NVR设备的大容量视频缓存与存储，支持连续写入和循环覆盖操作。得益于其高耐久性和数据保持能力，K9LBGZ8U1D-RCK0 还可用于数据中心的冷数据归档存储方案，特别是在对成本和密度有较高要求的场合。总之，该芯片凭借其优异的性能和广泛的适应性，已成为现代电子设备中不可或缺的关键元器件之一。
K9LBGD8H5A-KDB0
K9LBG08U5A-RCK0
TC58BKG8T23TA20
SAMSUNG K9LBG08U0D
