K9KAG08UOM-PCBO是三星(Samsung)生产的一款NAND Flash存储芯片,属于K9KA系列。该芯片采用MLC(多层单元)技术,具有高密度和高性能的特点,广泛应用于嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、存储卡和其他需要大容量数据存储的设备中。
该芯片支持ONFI(Open NAND Flash Interface)标准,能够提供快速的数据读写速度以及可靠的性能表现。其封装形式为BGA(球栅阵列封装),适合高密度电路板设计。
容量:8Gb (1GB)
存储类型:MLC NAND Flash
接口标准:ONFI 2.3
工作电压Vcc:2.7V ~ 3.6V
I/O电压:1.8V
数据传输速率:最高133MB/s
擦除块大小:256KB
页大小:8KB
待机电流:典型值2μA
工作温度范围:0°C ~ 70°C
K9KAG08UOM-PCBO采用了先进的制程工艺,具备以下显著特性:
1. 高存储密度:单颗芯片即可实现8Gb(1GB)的存储容量,非常适合对存储空间要求较高的应用环境。
2. 快速数据传输:支持ONFI 2.3接口标准,可提供高达133MB/s的数据传输速率,满足高速数据处理的需求。
3. 可靠性强:内置ECC(错误检查与纠正)功能,确保数据存储和传输的准确性。
4. 节能设计:待机电流低至2μA,在低功耗场景下表现出色。
5. 易于集成:采用紧凑型BGA封装,便于在小型化电子设备中使用。
6. 广泛的工作温度范围:能够在0°C到70°C的环境下正常运行,适应多种应用场景。
这款NAND Flash芯片适用于以下领域:
1. 嵌入式系统:用于工业控制、物联网设备等需要可靠数据存储的场合。
2. 固态硬盘(SSD):作为核心存储组件之一,提升SSD的整体性能。
3. 存储卡:如microSD卡、SD卡等便携式存储设备。
4. 消费类电子产品:包括智能手机、平板电脑、数码相机等需要大容量存储的设备。
5. 网络通信设备:路由器、交换机等设备中的固件存储与升级。
K9KAG08U5M, K9KAG08U1M