时间：2025/11/19 14:55:57
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K9K8GO8UOA-PCBO是三星（Samsung）推出的一款高密度、高性能的嵌入式闪存存储芯片，属于其NAND Flash产品线中的OneNAND系列。该器件专为移动通信设备和便携式消费电子产品设计，集成了类似于NOR Flash的快速启动特性和NAND Flash的大容量数据存储能力，旨在提供一种兼具高效执行与大容量存储的解决方案。K9K8GO8UOA-PCBO采用先进的制造工艺，具备8Gbit（1GB）的存储容量，适用于智能手机、平板电脑、GPS导航仪、多媒体播放器等对空间占用和功耗有严格要求的应用场景。这款芯片通过复用地址/数据总线实现指令、地址与数据的传输，支持高速读写操作，并内置了自动擦除、编程和错误校正（ECC）功能，有效提升了系统的可靠性与稳定性。此外，该器件还支持低功耗模式，有助于延长电池供电设备的工作时间。K9K8GO8UOA-PCBO工作电压通常为1.8V或3.3V双电压兼容设计，满足不同平台的接口需求，同时具备较高的耐用性（典型擦写次数为10万次）和数据保持能力（通常可达10年）。作为一款成熟的嵌入式存储解决方案，它在2010年代初期广泛应用于多款主流移动设备中，尽管当前已被更高密度的UFS或eMMC产品逐步取代，但仍因其稳定性和兼容性在部分工业控制和存量设备维护领域继续使用。
型号：K9K8GO8UOA-PCBO
制造商：Samsung
产品类型：OneNAND Flash
存储容量：8Gbit (1GB)
架构：OneNAND 2.0
电压：1.8V / 3.3V 双电压支持
封装形式：TSOP-48
接口类型：并行接口（复用AD总线）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
编程时间（典型）：300μs per page
擦除时间（典型）：2ms per block
读取访问时间：25ns
耐久性：100,000 次编程/擦除周期
数据保持期：10 年（在40°C环境下）
页面大小：2KB + 64B 副信息区（Spare Area）
块大小：64 页面 = 128KB
总块数：1024 blocks
K9K8GO8UOA-PCBO的核心特性之一是其OneNAND架构设计，这种架构将NOR Flash的快速启动能力和NAND Flash的大容量优势结合在一起。传统NAND Flash需要借助外部XIP（就地执行）机制或加载到RAM中运行代码，而OneNAND允许处理器直接从芯片内部执行引导代码（XIP），显著缩短系统启动时间。该芯片内部包含一个缓存寄存器，可在编程或擦除操作期间暂存数据，从而实现“缓存编程”功能，提升写入效率。此外，其内置的硬件ECC（错误校正码）引擎能够在每次读写过程中自动检测并修正单比特错误，预防数据损坏，增强系统可靠性。该器件支持多种命令集操作，包括读取、编程、块擦除、随机数据输入输出等，具有良好的灵活性。
另一个重要特性是其低功耗管理模式。K9K8GO8UOA-PCBO支持待机模式和深度掉电模式，在非工作状态下可大幅降低电流消耗，典型待机电流仅为10μA左右，非常适合电池供电的移动设备。其双电压兼容设计使其既能适配1.8V主控平台，也能用于传统的3.3V系统，增强了设计兼容性。TSOP-48的小型化封装便于在紧凑电路板上布局，且具备良好的散热性能和机械稳定性。此外，该芯片支持坏块管理机制，在出厂时即标记初始坏块，并通过系统级算法动态管理后续产生的坏块，确保长期使用的数据完整性。整体而言，K9K8GO8UOA-PCBO以其高集成度、可靠性和成熟生态，曾成为移动设备嵌入式存储的重要选择之一。
K9K8GO8UOA-PCBO主要应用于需要快速启动和中等容量本地存储的便携式电子设备中。最常见的应用场景是早期的智能手机和平板电脑，用于存储固件、操作系统引导程序以及用户应用程序代码。由于其支持XIP（就地执行）功能，特别适合用作移动设备的启动ROM，省去了额外NOR Flash的成本与空间占用。此外，该芯片也被广泛用于GPS导航设备中，存储地图数据和导航软件；在多媒体播放器中保存音频视频解码程序及配置文件；在数码相机中记录固件和拍摄设置参数。工业控制领域也采用该型号进行嵌入式系统开发，例如手持终端、条码扫描器、车载信息系统等，这些设备对环境适应性要求较高，而K9K8GO8UOA-PCBO具备宽温工作能力（-40°C至+85°C），能够稳定运行于恶劣环境中。虽然目前已被更先进的eMMC、UFS或SPI NAND逐步替代，但在一些老旧设备维修、备件替换或特定工业项目中仍具有实际应用价值。
K9F1G08U0D
K9F2G08U0M
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